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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2000-0007075 (2000-02-15) |
공개번호 | 10-2001-0081470 (2001-08-29) |
등록번호 | 10-0571570-0000 (2006-04-10) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020000007075 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-01-15) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 초크랄스키 결정성장 로의 고속인상용 핫존 구조 결정방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 핫존 구조 결정방법은, 초크랄스키 결정성장 로 내의 핫존 구조 및 인상속도를 정하고, 정해진 핫존 구조 및 인상속도에 대해 결정성장 중의 열 전달 현상을 해석하는 전산모사를 수행하는 제 1 단계; 전산모사의 결과로부터 실리콘 용융액과 실리콘 잉곳의 계면 근처의 실리콘 잉곳 중심에서 축 방향 온도구배 Gc를 구한 후, V/Gc 값을 구하는 제 2 단계; 인상속도 V를 변화시키면서 제 1 단계 및 제 2 단계를 수행하여 V/Gc 값을 구한
초크랄스키 결정성장 로 내의 핫존 구조 및 인상속도를 정하고, 상기 정해진 핫존 구조 및 인상속도에 대해 결정성장 중의 열 전달 현상을 해석하는 전산모사를 수행하는 제 1 단계;상기 전산모사의 결과로부터 실리콘 용융액과 실리콘 잉곳의 계면 근처의 실리콘 잉곳 중심에서 축 방향 온도구배 Gc를 구한 후, V/Gc 값을 구하는 제 2 단계; 상기 인상속도 V를 변화시키면서 상기 제 1 단계 및 제 2 단계를 수행하여 V/Gc 값을 구한 다음, 인상속도 V에 대한 V/Gc 값의 그래프를 그리는 제 3 단계;상기 그래프에서 V/Gc 값이
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