초록 ▼

본 발명은 무결함 실리콘 단결정을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 실리콘 단결정 내의 점결함 농도 분포를 해석하여 실리콘 단결정의 품질을 평가하고, 이러한 이론적 해석을 통해 내부에 점결함은 포함되지만 COP, OiSF, LDP와 같은 결정결함은 없는 무결함 실리콘 단결정을 성장시키도록 초크랄스키 로의 핫존 구조를 결정하고, 무결함 실리콘 단결정 성장이 가능한 것으로 선택된 핫존 구조를 채용한 초크랄스키 로에서 무결함 실리콘 단결정을 성장시킴으로써, 핫존 구조 결정에 따른 실패비용이 감소하고 무결함 실리콘 웨이퍼의 생산성이 향상되는

본 발명은 무결함 실리콘 단결정을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 실리콘 단결정 내의 점결함 농도 분포를 해석하여 실리콘 단결정의 품질을 평가하고, 이러한 이론적 해석을 통해 내부에 점결함은 포함되지만 COP, OiSF, LDP와 같은 결정결함은 없는 무결함 실리콘 단결정을 성장시키도록 초크랄스키 로의 핫존 구조를 결정하고, 무결함 실리콘 단결정 성장이 가능한 것으로 선택된 핫존 구조를 채용한 초크랄스키 로에서 무결함 실리콘 단결정을 성장시킴으로써, 핫존 구조 결정에 따른 실패비용이 감소하고 무결함 실리콘 웨이퍼의 생산성이 향상되는 효과가 있다.

대표청구항

실리콘 단결정 내의 점결함 농도 분포가 균일하도록, 열실드의 모양, 열실드 하면으로부터 실리콘 용융액 표면까지의 거리, 그리고 히터의 최상면으로부터 실리콘 용융액 표면까지의 거리를 포함한 핫존 구조물의 3차원적인 배열을 변경함으로써 무결함(defect free) 실리콘 단결정을 성장시키는 초크랄스키 로의 핫존 구조 설계방법.

실리콘 단결정 내의 점결함 농도 분포가 균일하도록, 열실드의 모양, 열실드 하면으로부터 실리콘 용융액 표면까지의 거리, 그리고 히터의 최상면으로부터 실리콘 용융액 표면까지의 거리를 포함한 핫존 구조물의 3차원적인 배열을 변경함으로써 무결함(defect free) 실리콘 단결정을 성장시키는 초크랄스키 로의 핫존 구조 설계방법.