초록 ▼

본 발명은, 매우 약하여, 굽힘가공은 불가능한 것으로 여겨지던 Si 계 재료를, 취성-연성 천이온도 이상으로 가열하여, 가열부에 굽힘 모멘트를 작용시켜 미끄럼 변형을 발생시킴으로써 굽힘가공을 가능하게 하여, Si 계 재료의 가공 자유도를 대폭 향상하는 것을 과제로 한다.이를 해결하기 위하여, Si 계 재료에는, 취성을 나타내는 상태에서 연성을 나타내는 상태로 천이시키는 취성-연성 천이온도가 존재한다. 이 천이온도의 이상일 때에는, Si 계 재료는 결정의 미끄럼이 적극적으로 일어날 수 있는 상태이다. 따라서, 천이온도

본 발명은, 매우 약하여, 굽힘가공은 불가능한 것으로 여겨지던 Si 계 재료를, 취성-연성 천이온도 이상으로 가열하여, 가열부에 굽힘 모멘트를 작용시켜 미끄럼 변형을 발생시킴으로써 굽힘가공을 가능하게 하여, Si 계 재료의 가공 자유도를 대폭 향상하는 것을 과제로 한다.이를 해결하기 위하여, Si 계 재료에는, 취성을 나타내는 상태에서 연성을 나타내는 상태로 천이시키는 취성-연성 천이온도가 존재한다. 이 천이온도의 이상일 때에는, Si 계 재료는 결정의 미끄럼이 적극적으로 일어날 수 있는 상태이다. 따라서, 천이온도 이상으로 가열한 가열부에 굽힘 모멘트를 작용시키면, 가열부에서 격자간 또는 결정입자간에 미끄럼이 발생되고, Si 계 재료는 변형된다.

대표청구항

Si 계 재료 (1) 를 취성-연성 천이온도 이상으로 가열하고, 이 가열부에 굽힘 모멘트를 작용시켜, Si 계 재료 (1) 에 미끄럼 변형을 발생시키는 것을 특징으로 하는 Si 계 재료의 굽힘가공 방법.

Si 계 재료 (1) 를 취성-연성 천이온도 이상으로 가열하고, 이 가열부에 굽힘 모멘트를 작용시켜, Si 계 재료 (1) 에 미끄럼 변형을 발생시키는 것을 특징으로 하는 Si 계 재료의 굽힘가공 방법.