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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2000-0067172 (2000-11-13) |
| 공개번호 | 10-2002-0037154 (2002-05-18) |
| 등록번호 | 10-0373315-0000 (2003-02-10) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020000067172 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2000-11-13) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명은 전도성 폴리머를 이용한 하이브리드 IC 기판 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하이브리드 IC 용 기판을 제조하기 위하여 세라믹 기판에 도전성 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 금속층을 피막할 세라믹 기판을 준비하는 단계와; 전도성 폴리머를 세라믹 기판의 전체면에 도포하는 단계와; 전기 도금 방법으로 이용하여 상기 전도성 폴리머층 위에 금속막을 도금하는 단계와; 원하는 패턴 형태로 에칭하는 단계와; 회로가 완성된 기판에 열전 반도체 소자를 부착할 위치를 형성하는 단계와; 기판의 열전 반도체 소자가 부착되는 위
금속층을 피막할 세라믹 기판을 준비하는 단계와;전도성 폴리머를 세라믹 기판의 전체면에 도포하는 단계와;전기 도금 방법으로 이용하여 상기 전도성 폴리머층 위에 회로용 금속막을 도금하는 단계와;원하는 패턴 형태로 에칭하는 단계와;회로가 완성된 기판에 열전 반도체 소자를 부착할 위치를 형성하는 단계와;기판의 열전 반도체 소자가 부착되는 위치에 전도성 폴리머를 도포하는 단계와;기판에 부착되는 열전 반도체 소자의 접착 부위에 고정용 금속을 도금하는 단계와;기판의 열전 반도체 소자가 부착될 위치에 열전 반도체 소자를 위치시키고 솔더링리플로워를
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