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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2001-0045456 (2001-07-27) |
| 공개번호 | 10-2002-0010105 (2002-02-02) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020010045456 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2006-07-25) |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
단일 광자 검출기는 임계 전류 가까이 바이어스된 초전도체 스트립을 포함한다. 상기 초전도체는 단일 입사 광자를 흡수하자마자 식별가능한 출력 신호를 제공한다. 한 실례에서, 상기 초전도체는 NbN(질화 니오븀)으로 이루어진 스트립이다. 다른 실례에서, 상기 초전도체 스트립은 구불구불하게 되어 광원으로부터 광자를 수용할 확률을 증가시킨다. 상기 단일 광자 검출기는 자유 공간과 위성 통신 장치, 양자 통신 장치, 양자 암호화, 약한 루미네슨스, 및 반도체 디바이스 테스트를 포함하는 다양한 응용예에 적합하다.
초전도체 스트립을 제공하는 단계,상기 초전도체 스트립을 전기적으로 바이어싱하는 단계, 및상기 바이어싱된 초전도체 스트립 상으로 광을 인도하는 단계를 포함하고,상기 바이어싱은 상기 초전도체 스트립의 임계 전류에 가까운 레벨이고, 이에 의해 상기 초전도체 스트립 상에 입사하는 단일 광자를 검출하는 것을 특징으로 하는 광자를 검출하는 방법.
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