IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/공개특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-2001-0066318
(2001-10-26)
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공개번호 |
10-2002-0032407
(2002-05-03)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020010066318
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발명자
/ 주소 |
- 누라모토히사이치
/ 일본오사카후네야가와시이케다나카마치**-**닛본페인트가부시기끼가이샤내
- 구니요시다카시
/ 일본오사카후네야가와시이케다나카미치**-**닛본페인트가부시기끼가이샤내
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출원인 / 주소 |
- 닛본 페인트 가부시끼가이샤 / 일본 *** 오사까후 오사까시 기따꾸 오요도기따 *쪼메 *방 *고
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대리인 / 주소 |
-
김창세
(KIM, Chang Se)
-
서울 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소)
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심사진행상태 |
취하(심사미청구) |
법적상태 |
취하 |
초록
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도장 공정 단축, 비용 삭감 및 환경적 부담 저감을 목표로 하는 3-웨트(wet) 도장 시스템에 있어서, 종래의 3코트막에 필적하는 우수한 내충격성, 특히 내칩성을 가짐과 동시에, 황변(黃變)하는 경우없이 다층 도막을 형성할 수 있는 다층 도막 형성 방법을 제공한다.본 발명은, 피도장물상에 전착 도료를 도장한 후, 가열 경화시켜 전착 도막을 형성하는 공정(I), 상기 전착 도막상에 수성 중간칠 도료를 도포하여 비경화 중간칠 도막을 형성하는 공정(II), 상기 중간칠 도막상에 수성 베이스 도료를 도포하여 비경화 베이스 도막을 형성하는
도장 공정 단축, 비용 삭감 및 환경적 부담 저감을 목표로 하는 3-웨트(wet) 도장 시스템에 있어서, 종래의 3코트막에 필적하는 우수한 내충격성, 특히 내칩성을 가짐과 동시에, 황변(黃變)하는 경우없이 다층 도막을 형성할 수 있는 다층 도막 형성 방법을 제공한다.본 발명은, 피도장물상에 전착 도료를 도장한 후, 가열 경화시켜 전착 도막을 형성하는 공정(I), 상기 전착 도막상에 수성 중간칠 도료를 도포하여 비경화 중간칠 도막을 형성하는 공정(II), 상기 중간칠 도막상에 수성 베이스 도료를 도포하여 비경화 베이스 도막을 형성하는 공정(III), 상기 베이스 도막상에 클리어 도료를 도포하여 비경화 클리어 도막을 형성하는 공정(IV), 및 상기 중간칠 도막, 상기 베이스 도막 및 상기 클리어 도막을 동시에 가열 경화시켜 다층 도막을 얻는 공정(V)을 포함하는 다층 도막 형성 방법으로서,상기 전착 도료가, 용해성 파라미터가 δa인 수지(a)를 포함하는 입자 A와, 용해성 파라미터가 δb인 수지(b) 및 경화제를 포함하는 입자 B를 함유하는 것으로, (1) (δb - δa)의 값이 1.0 이상이고, (2) 상기 전착 도료로 형성되는 전착 도막중, 상기 입자 A로 형성되는 수지막의 동적 유리전이온도가 -110 내지 10℃이며, 상기 입자 A만으로 막을 형성하여 수득되는 도막의 신장률이 200% 이상이고, (3) 상기 전착 도료로 형성되는 전착 도막중, 상기 입자 B로 형성되는 수지막의 동적 유리전이온도가 60 내지 150℃이며, 또한 상기 수성 중간칠 도료가 엘라스토머를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 도막 형성 방법에 관한 것이다.
대표청구항
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피도장물상에 전착 도료를 도장한 후, 가열 경화시켜 전착 도막을 형성하는 공정(I), 상기 전착 도막상에 수성 중간칠 도료를 도포하여 비경화 중간칠 도막을 형성하는 공정(II), 상기 중간칠 도막상에 수성 베이스 도료를 도포하여 비경화 베이스 도막을 형성하는 공정(III), 상기 베이스 도막상에 클리어 도료를 도포하여 비경화 클리어 도막을 형성하는 공정(IV), 및 상기 중간칠 도막, 상기 베이스 도막 및 상기 클리어 도막을 동시에 가열 경화시켜 다층 도막을 얻는 공정(Ⅴ)을 포함하는 다층 도막 형성 방법으로서,상기 전착 도료가,
피도장물상에 전착 도료를 도장한 후, 가열 경화시켜 전착 도막을 형성하는 공정(I), 상기 전착 도막상에 수성 중간칠 도료를 도포하여 비경화 중간칠 도막을 형성하는 공정(II), 상기 중간칠 도막상에 수성 베이스 도료를 도포하여 비경화 베이스 도막을 형성하는 공정(III), 상기 베이스 도막상에 클리어 도료를 도포하여 비경화 클리어 도막을 형성하는 공정(IV), 및 상기 중간칠 도막, 상기 베이스 도막 및 상기 클리어 도막을 동시에 가열 경화시켜 다층 도막을 얻는 공정(Ⅴ)을 포함하는 다층 도막 형성 방법으로서,상기 전착 도료가, 용해성 파라미터가 δa인 수지(a)를 포함하는 입자 A와, 용해성 파라미터가 δb인 수지(b) 및 경화제를 포함하는 입자 B를 함유하고, (1) (δb - δa)의 값이 1.0 이상이고, (2) 상기 전착 도료로 형성되는 전착 도막중, 상기 입자 A로 형성되는 수지막의 동적 유리전이온도가 -110 내지 10℃이며, 상기 입자 A만으로 막을 형성하여 수득되는 도막의 신장률이 200% 이상이고, (3) 상기 전착 도료로 형성되는 전착 도막중, 상기 입자 B로 형성되는 수지막의 동적 유리전이온도가 60 내지 150℃이며, 상기 수성 중간칠 도료가 엘라스토머를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 도막 형성 방법.
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