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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0080601 (2001-12-18) |
공개번호 | 10-2003-0050201 (2003-06-25) |
등록번호 | 10-0653035-0000 (2006-11-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010080601 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-02-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 절연막 스페이서 형성 방법에 관한 것으로, 게이트 전극의 간격이 좁은 영역에는 절연물질층을 얇게 형성하고 간격이 넓은 경우에만 추가적으로 절연물질층을 형성하여 일차적인 스페이서를 형성한 후 전면 식각공정을 실시함으로써, 게이트 전극 간격이 좁은 영역에서 절연막 스페이서가 서로 연결되는 것을 방지하면서 전극 간격이 넓은 경우 소자 구현에 요구되는 절연막 스페이서 길이를 확보하여 소자 특성과 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 절연막 스페이서 형성 방법이 개시된다.
게이트를 포함한 전체 상부에 절연물질층을 형성한 후 전면 식각 공정으로 상기 절연물질층을 상기 게이트의 측벽에만 잔류시켜 절연막 스페이서를 형성하는 반도체 소자의 절연막 스페이서 형성 방법에 있어서,게이트 전극의 간격이 좁은 영역보다 간격이 넓은 영역에 상기 절연물질층을 두껍게 형성한 후 두껍게 형성된 상기 절연물질층을 기준으로 전면 식각 공정을 실시하여 게이트 전극의 간격이 넓은 영역에 형성된 절연막 스페이서보다 좁은 영역에 형성된 절연막 스페이서를 더 얇게 형성함으로써, 상기 게이트 전극의 간격이 좁은 영역에서 상기 절연막 스페
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