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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0088450 (2001-12-29) |
공개번호 | 10-2003-0058064 (2003-07-07) |
등록번호 | 10-0413497-0000 (2003-12-18) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010088450 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-12-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 식각액을 사용하여 증착된 니켈을 분리하여 ED-XRF 분석으로 원자 평면 밀도와 두께를 측정하는 니켈 정량 분석 방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판에 절연막과 비정질 실리콘을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘 상에 니켈을 증착하는 단계와, 상기 니켈을 식각액으로 식각하는 단계와, 상기 식각된 시료를 AP1 필름에 떨어뜨리고 건조시키는 단계와, 상기 건조된 시료를 ED-XRF로 분석하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고 또한, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판에 AP1 필름을 설치하
기판을 준비하는 단계와, 상기 기판에 절연막과 비정질 실리콘을 형성하는 단계와,상기 비정질 실리콘 상에 니켈을 증착하는 단계와,상기 니켈을 식각액으로 식각하는 단계와,상기 식각된 시료를 AP1 필름에 떨어뜨리고 건조시키는 단계와,상기 건조된 시료를 ED-XRF로 분석하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 정량 분석 방법.
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