초록

제1공정 단계에서 낮은 니켈함량의 인산아연 처리액을 사용하여 인산염 처리를 하고, 제2단계에서 인산염 처리된 표면을, 리튬이온, 구리이온 및/또는 은이온을 0.001 ∼ 10 g/l 함유하는 수용액을 사용하여 후세척을 하고, 제3단계에서는 납을 0.05 wt.% 이하 함유하는 낮은 납함량의 음극 전착도장용 래커(lacquer)를 도포하는, 강판, 아연도금강판 및/또는 알루미늄판, 및/또는 이들의 합금으로 된 금속표면의 전처리 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

강판, 아연도금 강판 및/또는 알루미늄판, 및/또는 철, 아연 혹은 알루미늄을 적어도 50 wt.% 이상 함유하는 합금표면의 전처리 방법으로서, (a) 피막형성 인산염 처리,(b) 후세척, 및(c) 음극 전착도장의 공정으로 되어 있는 금속표면의 전처리 방법에 있어서,공정 (a)에서 인산염 처리는Zn(II) 0.3∼3 g/l,인산이온 5∼40 g/l,아래의 촉진제들중의 적어도 1종:m-니트로벤젠술폰산 이온 0.2∼2 g/l,유리형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.1∼10 g/l,m-니트로벤조산 이온 0.05∼2 g/l,p-니트로페놀

강판, 아연도금 강판 및/또는 알루미늄판, 및/또는 철, 아연 혹은 알루미늄을 적어도 50 wt.% 이상 함유하는 합금표면의 전처리 방법으로서, (a) 피막형성 인산염 처리,(b) 후세척, 및(c) 음극 전착도장의 공정으로 되어 있는 금속표면의 전처리 방법에 있어서,공정 (a)에서 인산염 처리는Zn(II) 0.3∼3 g/l,인산이온 5∼40 g/l,아래의 촉진제들중의 적어도 1종:m-니트로벤젠술폰산 이온 0.2∼2 g/l,유리형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.1∼10 g/l,m-니트로벤조산 이온 0.05∼2 g/l,p-니트로페놀 0.05∼2 g/l,유리형태 혹은 결합형태의 과산화 수소 1∼70 mg/l,아질산 이온 0.01∼0.2 g/l,유기 N-산화물 0.05∼4 g/l,니트로구아니딘 0.1∼3 g/l, 및니켈이온 50 mg/l 미만을 함유하는 pH 2.5∼3.6의 아연함유 산성 인산염 처리액을 사용하여 실시하고,공정 (b)에서 후세척은 리튬이온, 구리이온 및/또는 은이온 등의 양이온 중의 1종 이상을 0.001∼10 g/l 함유하는 pH 3∼7의 수용액을 사용하여 실시하며,공정 (c)에서 래커 도장은 전착도장용 래커의 고형분에 대하여 납을 0.05 wt.% 미만 함유하는 음극 전착도장용 래커를 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 금속표면의 전처리 방법.제1항에 있어서, 공정단계 (a)에서 인산염 처리는, 구리이온을 1 mg/l 미만 함유하는 인산염 처리액으로 실시하는 방법.제1항 및 제2항중의 하나의 항 혹은 두개의 항에 있어서, 공정단계 (a)에서 인산염 처리는, 니켈이온을 10 mg/l 미만 함유하는 인산염 처리액을 사용하여 실시하는 방법.제1항 내지 제3항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (a)에서 인산염 처리는, 아래의 양이온들중의 1종 이상을 추가로 함유하는 인산염 처리액을 사용하여 실시하는 방법.망간(II) 0.2∼4 g/l,마그네슘(II) 0.2∼2.5 g/l,칼슘(II) 0.2∼2.5 g/l,철(II) 0.01∼0.5 g/l,리튬(I) 0.2∼1.5 g/l,텅스텐(VI) 0.02∼0.8 g/l. 제1항 내지 제4항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (b)에서 후세척 처리는, 구리이온을 0.001∼10 g/l 함유하는 pH 3.4∼6의 범위의 수용액을 사용하여 실시하는 방법.제5항에 있어서, 공정단계 (b)에서 후세척 처리는, 구리이온을 0.01∼0.1 g/l 함유하는 수용액을 사용하여 실시하는 방법.제1항 내지 제6항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (b)에서 후세척 처리는, 20∼50℃의 온도의 수용액을 사용하여 실시하는 방법.제1항 내지 제7항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (b)에서 후세척 처리는, 0.1∼1 g/l의 헥사플루오로티탄산 이온 및/또는 헥사플루오로지르콘산 이온을 추가로 함유하는 수용액을 사용하여 실시하는 방법.제1항 내지 제8항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (b)에서 후세척액을, 공정단계 (a)에서 인산염 처리된 금속표면위에 분무하는 방법.제1항 내지 제9항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (b)에서 후세척액을, 공정단계 (a)에서 인산염 처리된 금속표면위에 0.5 내지 10분의 범위내에서 일정시간 동안 작용시키는 방법.제1항 내지 제10항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (a)와 (b) 사이에 중간 물세척 처리가 없는 방법.제1항 내지 제11항중의 하나의 항 이상의 항에 있어서, 공정단계 (c)에서 음극 전착도장용 래커의 고형분에 대해 납을 0.01 wt.% 미만 함유하는 음극 전착도장용 래커를 사용하여 도장을 실시하는 방법.<