초록 ▼

본 발명은 반도체 장치의 불필요한 전류소모를 감소시키기 위한 회로 및 그 제어방법에 관한 것이다. 외부 입출력 신호를 내부의 입출력 회로로 연결하는 반도체 패드를 포함하는 반도체 장치에서 불필요한 전류경로의 생성을 방지하는 누설전류 방지회로는, p형 불순물확산영역은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 p형 불순물 확산영역은 내부 전원전압단(Vcc)에 연결되는 p형 모스 트랜지스터와, n형 불순물확산영역은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 n형 불순물확산영역은 접지전압단(GND)에 연결되는 n형 모스 트랜지스터와, 외부 제어에 응답하여

본 발명은 반도체 장치의 불필요한 전류소모를 감소시키기 위한 회로 및 그 제어방법에 관한 것이다. 외부 입출력 신호를 내부의 입출력 회로로 연결하는 반도체 패드를 포함하는 반도체 장치에서 불필요한 전류경로의 생성을 방지하는 누설전류 방지회로는, p형 불순물확산영역은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 p형 불순물 확산영역은 내부 전원전압단(Vcc)에 연결되는 p형 모스 트랜지스터와, n형 불순물확산영역은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 n형 불순물확산영역은 접지전압단(GND)에 연결되는 n형 모스 트랜지스터와, 외부 제어에 응답하여 상기 p형 모스 트랜지스터의 n형 불순물확산영역과 상기 n형 모스 트랜지스터의 p형 불순물확산영역에 각각 게이트 전압을 제공하는 제어회로를 포함하여 구성된다. 이로써 본 발명은 반도체 장치를 사용하는 시스템에서 불필요한 누설전류를 방지하고 이에 따른 소비전력의 효율적인 운용 및 시스템 경쟁력 강화의 효과를 얻는다.

대표청구항 ▼

외부 입출력 신호를 내부의 입출력 회로로 연결하는 반도체 패드를 포함하는 반도체 장치에서 불필요한 전류경로의 생성을 방지하는 누설전류 방지회로에 있어서,일측은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 일측은 내부 전원전압단(Vcc)에 연결되어 제어신호에 따라 풀-업 저항으로서 동작하는 입력 보호수단과,일측은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 일측은 접지전압단(GND)에 연결되어 제어신호에 따라 풀-다운 저항으로서 동작하는 출력 보호수단과,상기 입력 보호수단과 상기 출력 보호수단으로 각각 제어신호를 공급하는 제어회로를 포함하여 구성되는 것을

외부 입출력 신호를 내부의 입출력 회로로 연결하는 반도체 패드를 포함하는 반도체 장치에서 불필요한 전류경로의 생성을 방지하는 누설전류 방지회로에 있어서,일측은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 일측은 내부 전원전압단(Vcc)에 연결되어 제어신호에 따라 풀-업 저항으로서 동작하는 입력 보호수단과,일측은 상기 반도체 패드에 연결되며 다른 일측은 접지전압단(GND)에 연결되어 제어신호에 따라 풀-다운 저항으로서 동작하는 출력 보호수단과,상기 입력 보호수단과 상기 출력 보호수단으로 각각 제어신호를 공급하는 제어회로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 누설전류 방지회로.