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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-0017680 (2002-03-30) |
공개번호 | 10-2003-0078563 (2003-10-08) |
등록번호 | 10-0824992-0000 (2008-04-18) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020017680 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-12-15) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 감광막이 잔류하거나 레시듀가 남는 문제를 억제하는데 적합한 반도체장치의 식각후처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 식각후처리 방법은 웨이퍼상의 박막상에 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계, 상기 감광막패턴을 스트립하는 단계, 및 아르곤 에어로졸을 이용하여 세정하는 단계를 포함하며, 아르곤 에어로졸은 -253℃의 극저온으로 아르곤을 냉각하여 발생시키고, 아르곤 에어로졸의 충돌에너지를 증가시키기 위해 가속 질소를 10ℓ/min∼100ℓ/min의 속도로 공급한다.
웨이퍼상의 박막상에 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계; 상기 감광막패턴을 스트립하는 단계; 및아르곤 에어로졸을 이용하여 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 식각후처리 방법.
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