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[한국특허] 아르곤 에어로졸을 이용한 식각후처리 방법
Method for Post Etch Treatment using Ar aerosol
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/304
출원번호 10-2002-0017680 (2002-03-30)
공개번호 10-2003-0078563 (2003-10-08)
등록번호 10-0824992-0000 (2008-04-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020017680
발명자 / 주소
  • 선준협 / 경기도이천시부발읍아미리산***-*
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm)
  • 서울 송파구 가락동**-*번지 **타워 ***호
심사청구여부 있음 (2006-12-15)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 감광막이 잔류하거나 레시듀가 남는 문제를 억제하는데 적합한 반도체장치의 식각후처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 식각후처리 방법은 웨이퍼상의 박막상에 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계, 상기 감광막패턴을 스트립하는 단계, 및 아르곤 에어로졸을 이용하여 세정하는 단계를 포함하며, 아르곤 에어로졸은 -253℃의 극저온으로 아르곤을 냉각하여 발생시키고, 아르곤 에어로졸의 충돌에너지를 증가시키기 위해 가속 질소를 10ℓ/min∼100ℓ/min의 속도로 공급한다.

대표청구항

웨이퍼상의 박막상에 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 감광막패턴을 식각마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계; 상기 감광막패턴을 스트립하는 단계; 및아르곤 에어로졸을 이용하여 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 식각후처리 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. [한국] 반도체장치의 금속배선 형성방법 | 임명호
  2. [한국] 표면세정방법 및 장치 | 호사카히사오, 야마니시토시유키, 소노다유즈루

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