초록 ▼

본 발명은 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법에 관한 것으로, 제거될 금속막에 전류를 흘러주어 연마를 진행하다가 금속막이 제거되면 저항이 급격히 증가하는 점을 EPD로 검출하도록 하므로써 정확한 EPD를 얻을 수 있는 기술을 제공한다. 이를 위한 본 발명의 CMP 공정의 앤드 포인트 검출 방법은, 화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은, 연마되는 웨이퍼의 금속막과 그 하부층인 유전체막이 비전도성인 점을 이용하여 상기

본 발명은 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법에 관한 것으로, 제거될 금속막에 전류를 흘러주어 연마를 진행하다가 금속막이 제거되면 저항이 급격히 증가하는 점을 EPD로 검출하도록 하므로써 정확한 EPD를 얻을 수 있는 기술을 제공한다. 이를 위한 본 발명의 CMP 공정의 앤드 포인트 검출 방법은, 화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은, 연마되는 웨이퍼의 금속막과 그 하부층인 유전체막이 비전도성인 점을 이용하여 상기 금속막의 저항값 변화를 측정하여 EPD를 검출하므로써 정확한 EPD를 검출할 수 있는 것을 특징으로 한다.

대표청구항

화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은, 연마되는 웨이퍼의 금속막과 그 하부층인 유전체막이 비전도성인 점을 이용하여 상기 금속막의 저항값 변화를 측정하여 EPD를 검출하므로써 정확한 EPD를 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법.

화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은, 연마되는 웨이퍼의 금속막과 그 하부층인 유전체막이 비전도성인 점을 이용하여 상기 금속막의 저항값 변화를 측정하여 EPD를 검출하므로써 정확한 EPD를 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법.