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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-0036691 (2002-06-28) |
공개번호 | 10-2004-0001475 (2004-01-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020036691 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법에 관한 것으로, 제거될 금속막에 전류를 흘러주어 연마를 진행하다가 금속막이 제거되면 저항이 급격히 증가하는 점을 EPD로 검출하도록 하므로써 정확한 EPD를 얻을 수 있는 기술을 제공한다. 이를 위한 본 발명의 CMP 공정의 앤드 포인트 검출 방법은, 화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은, 연마되는 웨이퍼의 금속막과 그 하부층인 유전체막이 비전도성인 점을 이용하여 상기
화학적기계적연마(CMP) 공정을 진행하면서 동시에 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)을 하는 것으로, 상기 CMP의 앤드 포인트 검출(EPD)은, 연마되는 웨이퍼의 금속막과 그 하부층인 유전체막이 비전도성인 점을 이용하여 상기 금속막의 저항값 변화를 측정하여 EPD를 검출하므로써 정확한 EPD를 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 CMP 공정의 앤드 포인트 검출(EPD) 방법.
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