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연합인증

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저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G02F-001/01
출원번호 10-2002-0049650 (2002-08-22)
공개번호 10-2004-0017535 (2004-02-27)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020049650
발명자 / 주소
  • 이한영 / 경기도용인시동천동동천마을현대*차홈타운***동****호
  • 양우석 / 경기도성남시분당구금곡동청솔마을화인아파트***동***호
  • 김우경 / 서울특별시동대문구제기동***-**공성아파트***호
출원인 / 주소
  • 전자부품연구원 / 경기도 성남시 분당구 야탑동 **번지
대리인 / 주소
  • 정종옥; 조담 (Chung Jong Ok)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 번지 육성빌딩 *층(노벨국제특허법률사무소); 서울 서초구 서초동 ****-* 보성빌딩 ***호(알프스국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2002-08-22)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기에 관한 것으로, 본 발명은 저 유전율을 갖는 기판의 상부에 LiNbO3층을 형성하여 LiNbO3층의 두께를 최소화함으로써, 이 기판을 고용하여 제조된 광변조기는 레이저광과 RF 데이터 신호간의 위상속도 정합 및 특성임피던스 정합이 최적화되며, 구동전압을 낮출 수 있고 변조영역의 길이를 줄일 수 있는 효과가 발생한다.더불어, 변조영역의 길이를 줄여, RF 데이터 신호를 인가하는 전극의 길이를 감소시켜, RF 데이터 신호의 전파 손실 및 광도파 손실을 최소화할 수 있는 효과도 있다.

대표청구항

LINBO3보다 낮은 유전율을 갖는 물질로 이루어진 저유전율 기판과;상기 저유전율 기판의 상부에 형성된 LINBO3층과; 상기 LINBO3층에 형성되어 입력 광도파로에서 2개로 분기되고 다시 결합되어출력 광도파로 연장되는 광 도파로와;상기 광 도파로와 상기 LINBO3층의 상부에 형성된 버퍼층과;상기 분기된 1개의 광도파로의 상기 버퍼층 상부에 형성되어, RF 데이터 신호가 인가되는 양극전극과;상기 양극전극 일측면과 이격되며, 상기 분기된 다른 1개의 광도파로의 버퍼층 상부에 형성된 제 1 그라운드 전극과; 상기 양극전극 타측면과

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [미국] Optical waveguide type device for reducing microwave attenuation | Madabhushi Rangaraj,JPX
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