IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-2002-0053128
(2002-09-04)
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공개번호 |
10-2003-0021142
(2003-03-12)
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등록번호 |
10-0550513-0000
(2006-02-02)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020020053128
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발명자
/ 주소 |
- 노구찌마사히로
/ 일본도꾜도지요다꾸오떼마찌*쪼메*-*히다찌케이블리미티드내
- 구니따께에이이찌
/ 일본도꾜도지요다꾸오떼마찌*쪼메*-*히다찌케이블리미티드내
- 고이즈미겐따
/ 일본도꾜도지요다꾸오떼마찌*쪼메*-*히다찌케이블리미티드내
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출원인 / 주소 |
- 히다찌 케이블 리미티드 / 일본 도꾜도 지요다꾸 소또깐다 *쪼메 **반 *고
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대리인 / 주소 |
-
이중희;
장수길;
구영창
(LEE, JUNG HEE)
-
서울 종로구 신문로*가 ***번지 흥국생명빌딩 *층(김.장법률사무소);
서울 종로구 내자동 세양빌딩 (김.장법률사무소);
서울 종로구 신문로*가 ***번지 흥국생명빌딩*층(김.장법률사무소)
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심사청구여부 |
있음 (2003-02-07) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
▼
n형 GaAs 기판 상에, n형 GaAs 버퍼층, 각각 Al (알루미늄) 조성비가 서로 다른 AlGaAs층을 각각 포함하는 층 쌍들로 형성되는 n형 다중 반사막, n형 AlGaAs 하부 클래딩층, p형 AlGaAs 활성층, p형 AlGaAs 상부 클래딩층, 및 p형 GaAs 컨택트층이 순차적으로 에피텍셜 성장된다. 이 경우, 다중 반사막을 구성하는 상기 층 쌍들 각각은 AlX1Ga1-X1As 층 및 AlX2Ga1-X2As 층의 - X1 및 X2는 각각 Al 조성비를 나타냄 - 다층 막이고, AlX1Ga1-X1As 층과 AlX2Ga
n형 GaAs 기판 상에, n형 GaAs 버퍼층, 각각 Al (알루미늄) 조성비가 서로 다른 AlGaAs층을 각각 포함하는 층 쌍들로 형성되는 n형 다중 반사막, n형 AlGaAs 하부 클래딩층, p형 AlGaAs 활성층, p형 AlGaAs 상부 클래딩층, 및 p형 GaAs 컨택트층이 순차적으로 에피텍셜 성장된다. 이 경우, 다중 반사막을 구성하는 상기 층 쌍들 각각은 AlX1Ga1-X1As 층 및 AlX2Ga1-X2As 층의 - X1 및 X2는 각각 Al 조성비를 나타냄 - 다층 막이고, AlX1Ga1-X1As 층과 AlX2Ga1-X2As 층 사이에 헤테로 접합이 형성되고, Al 조성비는 X1<X2이고 굴절률은 n1>n2이고 - n1은 AlX1Ga1-X1As 층의 굴절률을 n2는 AlX2Ga1-X2As 층의 굴절률을 나타냄 -, AlX1Ga1-X1As 층 및 AlX1Ga1-X1As 층은 X1≥X 및 X2≥X를 - X1 및 X2는 상술된 바와 같고 X는 활성층을 구성하는 AlX1Ga1-X1As에서의 Al 조성비를 나타냄 - 만족하고, AlX1Ga1-X1As 층은 EgX1≥Eλ를 - EgX1는 AlX1Ga1-X1As 층의 밴드 갭 에너지를 나타내고 Eλ는 발광 파장 에너지를 나타냄 - 만족한다. 상기 구성에 의해, 브래그형 다층 반사막으로 취득된 광 인출 효율성의 향상이라고 하는 장점을 성취하면서, 순방향 전압의 증가를 억제할 수 있으며 전체적으로 고출력의 LED 어레이인 발광 장치를 실현할 수 있다.
대표청구항
▼
1개 소자 내에 복수의 발광 부분을 갖는 모노리식 어레이 유형의 발광 장치에 있어서,상기 발광 부분 각각은 n형 GaAs 기판을 포함하며, 상기 n형 GaAs 기판 상에 n형 GaAs 버퍼층, Al (알루미늄) 조성비가 서로 다른 AlGaAs 층을 각각 포함하는 층 쌍들로 형성되는 n형 다중 반사막, n형 AlGaAs 하부 클래딩층, p형 또는 언도핑 AlGaAs 활성층, p형 AlGaAs 상부 클래딩층, 및 p형 GaAs 컨택트층이 순차적으로 에피텍셜 성장된 구조를 갖는 적층 구조의 발광 다이오드를 포함하고,상기 다중 반사막을 구
1개 소자 내에 복수의 발광 부분을 갖는 모노리식 어레이 유형의 발광 장치에 있어서,상기 발광 부분 각각은 n형 GaAs 기판을 포함하며, 상기 n형 GaAs 기판 상에 n형 GaAs 버퍼층, Al (알루미늄) 조성비가 서로 다른 AlGaAs 층을 각각 포함하는 층 쌍들로 형성되는 n형 다중 반사막, n형 AlGaAs 하부 클래딩층, p형 또는 언도핑 AlGaAs 활성층, p형 AlGaAs 상부 클래딩층, 및 p형 GaAs 컨택트층이 순차적으로 에피텍셜 성장된 구조를 갖는 적층 구조의 발광 다이오드를 포함하고,상기 다중 반사막을 구성하는 상기 층 쌍들 각각은 AlX1Ga1-X1As 층 및 AlX2Ga1-X2As - X1 및 X2는 각각 Al 조성비를 나타냄 - 층의 다층 막으로 형성되고, 상기 AlX1Ga1-X1As 층과 상기 AlX2Ga1-X2As 층 사이에 헤테로 접합이 형성되고, Al 조성비는 X1<X2이고 굴절률은 n1>n2이고 - n1은 상기 AlX1Ga1-X1As 층의 굴절률을 나타내고, n2는 상기 AlX2Ga1-X2As 층의 굴절률을 나타냄 -, 상기 AlX1Ga1-X1As 층 및 상기 AlX1Ga1-X1As 층은 X1≥X 및 X2≥X를 - X1 및 X2는 상술된 바와 같고 X는 활성층을 구성하는 AlX1Ga1-X1As에서의 Al 조성비를 나타냄 - 만족하고, 상기 AlX1Ga1-X1As 층은 EgX1≥Eλ를 - EgX1는 AlX1Ga1-X1As 층의 밴드 갭 에너지를 나타내고 Eλ는 발광 파장 에너지를 나타냄 - 만족하는 모노리식 어레이형 발광 장치.
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