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실리콘 웨이퍼 표면의 오염 검사 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/66
출원번호 10-2002-0069063 (2002-11-08)
공개번호 10-2004-0040794 (2004-05-13)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020069063
발명자 / 주소
  • 황돈하 / 경상북도칠곡군석적면남율리***번지우방신천지아파트***/****호
출원인 / 주소
  • 주식회사 실트론 / 경북 구미시 임수동 ***번지
대리인 / 주소
  • 양순석 (YANG, Soon Seok)
  • 서울 강남구 역삼*동 ***-* 강남제일빌딩 ***호
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록 ▼

본 발명은 실리콘 웨이퍼 표면의 오염을 검사하는 방법에 관한 것으로, 특히, 에치드(ETCHED) 또는 폴리쉬드(POLISHED) 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성된 오염 부분을 육안으로 검사하기 위한 방법에 관한 것이다.이를 위한 본 발명인 실리콘 웨이퍼 표면의 오염 검사 방법은 에치드(ETCHED) 또는 폴리쉬드(POLISHED) 실리콘 웨이퍼를 준비하여, 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리로의 내부에 탑재하고, 열처리로의 내부를 수소 가스 분위기로 하여, 약 700℃이상의 온도에서 열처리하는 제 1단계와, 상기 열처리된 실리콘 웨이퍼를 라

대표청구항 ▼

에치드(ETCHED) 또는 폴리쉬드(POLISHED) 실리콘 웨이퍼를 준비하여, 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리로의 내부에 탑재하고, 열처리로의 내부를 수소 가스 분위기로 하여, 약 700℃이상의 온도에서 열처리하는 제 1단계와;상기 열처리된 실리콘 웨이퍼를 라이트(WRIGHT) 또는 세코(SECCO) 에칭액을 이용하여 에칭하는 제 2단계와;상기 에칭된 실리콘 웨이퍼를 초순수를 이용하여 세정하는 제 3단계와;상기 세정된 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 제 4단계와;상기 건조된 실리콘 웨이퍼의 표면을 육안으로 검사하는 제 5단계를 포함하는 것

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