초록 ▼

본 발명에서는 질화물 반도체 광전 소자에 있어서, 실리콘 기판(100); 및 상기 기판(100)위에 형성된, 자발 형성된 질화물 반도체 나노입자가 포함되는 비정질 질화실리콘층(기지)(200);을 구비하는 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법은 질화물 반도체에 있어서 종래의 질화물 반도체의 문제점을 해결하여 결정결함이 없고 고품위의 질화물 반도체 나노상 광전소자를 제공하는 효과를 달성하게 된다. 또한 광전소자의 구조에 있어서, p-형 질화갈륨계열 박막

본 발명에서는 질화물 반도체 광전 소자에 있어서, 실리콘 기판(100); 및 상기 기판(100)위에 형성된, 자발 형성된 질화물 반도체 나노입자가 포함되는 비정질 질화실리콘층(기지)(200);을 구비하는 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법은 질화물 반도체에 있어서 종래의 질화물 반도체의 문제점을 해결하여 결정결함이 없고 고품위의 질화물 반도체 나노상 광전소자를 제공하는 효과를 달성하게 된다. 또한 광전소자의 구조에 있어서, p-형 질화갈륨계열 박막층을 요구하지 않으므로 기존의 박막을 이용하는 질화물 반도체 광전소자 제조방법에 비하여 크랙의 염려가 없고 더욱이 소자 제조공정이 획기적으로 줄어 매우 경제적이고 생산적인 광전소자 제조공정을 제공하는 효과를 달성하게 된다. 더욱이 결정결함이 없고 고품위의 새로운 질화갈륨계열 나노결정입자들을 이용하여 광전소자를 제조함으로써 나노미터 크기의 새로운 기능성 광전소자의 개발을 가능하게 할 수 있어 질화물 반도체의 소자 응용범위를 획기적으로 증대시킬 수 있는 효과를 달성하게 된다.

대표청구항

질화물 반도체 광전 소자에 있어서, 실리콘 기판(100); 및상기 기판(100)위에 형성된, 자발 형성된 질화물 반도체 나노입자(230)가 포함되는 비정질 질화실리콘층(기지)(200);을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 나노상 광전소자.

질화물 반도체 광전 소자에 있어서, 실리콘 기판(100); 및상기 기판(100)위에 형성된, 자발 형성된 질화물 반도체 나노입자(230)가 포함되는 비정질 질화실리콘층(기지)(200);을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 나노상 광전소자.