초록 ▼

본 발명은 (A) (1) 적어도 하나의 양이온적 반응성 물질, (2) 다광자 광개시제 시스템, 및 (3) 다수의 전축합된 무기 나노입자를 포함하는 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물을 제공하고; (B) 적어도 3개의 빔을 포함하는 멀티빔 간섭기술을 이용하여 광반응성 조성물의 적어도 일부분을 광반응성 조성물의 반응 및 비-반응 부분의 이차원 또는 삼차원 주기적 패턴을 생성하는데 적절한 파장, 공간 분포 및 강도의 방사선에 노출시키고; (C) 광반응성 조성물의 비-반응 부분의 적어도 일부분을 다광자 흡수 및 광반응을 일으켜 추가의 반응

본 발명은 (A) (1) 적어도 하나의 양이온적 반응성 물질, (2) 다광자 광개시제 시스템, 및 (3) 다수의 전축합된 무기 나노입자를 포함하는 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물을 제공하고; (B) 적어도 3개의 빔을 포함하는 멀티빔 간섭기술을 이용하여 광반응성 조성물의 적어도 일부분을 광반응성 조성물의 반응 및 비-반응 부분의 이차원 또는 삼차원 주기적 패턴을 생성하는데 적절한 파장, 공간 분포 및 강도의 방사선에 노출시키고; (C) 광반응성 조성물의 비-반응 부분의 적어도 일부분을 다광자 흡수 및 광반응을 일으켜 추가의 반응 부분 및 잔류하는 비-반응 부분을 형성시키는데 적절한 파장 및 강도의 방사선에 노출시키고; (D) 광반응성 조성물의 잔류하는 비-반응 부분 또는 전체 반응 부분을 제거하여 틈새 공백을 형성시키고; (E) 틈새 공백을 광반응성 조성물의 잔류하는 비-반응 또는 반응 부분의 굴절률과는 상이한 굴절률을 갖는 적어도 하나의 물질로 적어도 부분적으로 충전시키는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

(a) (1) 적어도 하나의 양이온적 반응성 물질, (2) 다광자 광개시제 시스템, 및 (3) 다수의 전축합된 무기 나노입자를 포함하는 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물을 제공하고|(b) 적어도 3개의 빔을 포함하는 멀티빔 간섭기술을 이용하여 광반응성 조성물의 적어도 일부분을 광반응성 조성물의 반응 및 비-반응 부분의 이차원 또는 삼차원 주기적 패턴을 생성하는데 적절한 파장, 공간 분포 및 강도의 방사선에 노출시키고|(c) 광반응성 조성물의 비-반응 부분의 적어도 일부분을 다광자 흡수 및 광반응을 일으켜 추가의 반응 부분 및 잔류

(a) (1) 적어도 하나의 양이온적 반응성 물질, (2) 다광자 광개시제 시스템, 및 (3) 다수의 전축합된 무기 나노입자를 포함하는 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물을 제공하고|(b) 적어도 3개의 빔을 포함하는 멀티빔 간섭기술을 이용하여 광반응성 조성물의 적어도 일부분을 광반응성 조성물의 반응 및 비-반응 부분의 이차원 또는 삼차원 주기적 패턴을 생성하는데 적절한 파장, 공간 분포 및 강도의 방사선에 노출시키고|(c) 광반응성 조성물의 비-반응 부분의 적어도 일부분을 다광자 흡수 및 광반응을 일으켜 추가의 반응 부분 및 잔류하는 비-반응 부분을 형성시키는데 적절한 파장 및 강도의 방사선에 노출시키고|(d) 광반응성 조성물의 잔류하는 비-반응 부분 또는 전체 반응 부분을 제거하여 틈새 공백을 형성시키고|(e) 틈새 공백을 광반응성 조성물의 잔류하는 비-반응 또는 반응 부분의 굴절률과는 상이한 굴절률을 갖는 적어도 하나의 물질로 적어도 부분적으로 충전시키는 단계를 포함하는 방법.제 1 항에 있어서, 주기적 패턴이 삼차원적인 방법.제 1 항에 있어서, 주기적 패턴이 서브미크론-스케일 주기성을 갖는 방법.제 1 항에 있어서, 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물이 광반응 및 열분해시 그의 초기 중량의 약 60％ 미만을 상실하는 방법.제 1 항에 있어서, 양이온적 반응성 물질이 양이온적 경화성 물질인 방법.제 5 항에 있어서, 양이온적 경화성 물질이 유기 또는 하이브리드 유기/무기물인 방법.제 1 항에 있어서, 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물이 광반응성 실란의 축합물, 반응성 및 비-반응성 실란의 혼합물의 축합물, 올리고머성 실록산 물질, 분지된 규소-함유 올리고머성 및 폴리머성 물질, 및 졸-겔 물질로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 방법.제 1 항에 있어서, 다광자 광개시제 시스템이 (a) 적어도 하나의 다광자 광증감제| (b) 적어도 하나의 전자 수용체| 및 (c) 임의로, 적어도 하나의 전자 공여체를 포함하는 방법.제 8 항에 있어서, 다광자 광개시제 시스템이 적어도 하나의 전자 공여체를 포함하는 방법.제 8 항에 있어서, 다광자 광증감제가 플루오레세인의 경우보다 더 큰 2-광자 흡수 단면적을 갖는 방법.제 10 항에 있어서, 다광자 광증감제가 플루오레세인의 경우보다 약 1.5 배 더 큰 2-광자 흡수 단면적을 갖는 방법.제 8 항에 있어서, 다광자 광증감제가 로다민 B, 두개의 공여체가 컨쥬게이트된 π(파이)-전자 브릿지에 연결된 분자, 두개의 공여체가 하나 또는 그 이상의 전자 수용기에 의해서 치환된 컨쥬게이트된 π(파이)-전자 브릿지에 연결된 분자, 두개의 수용체가 컨쥬게이트된 π(파이)-전자 브릿지에 연결된 분자, 및 두개의 수용체가 하나 또는 그 이상의 전자 공여기에 의해서 치환된 컨쥬게이트된 π(파이)-전자 브릿지에 연결된 분자로부터 선택되는 방법.제 12 항에 있어서, 다광자 광증감제가 로다민 B인 방법.제 8 항에 있어서, 전자 수용체가 요오도늄 염, 디아조늄 염, 설포늄 염, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.제 9 항에 있어서, 전자 공여체가 아민| 아미드| 에테르| 우레아| 설핀산 및 이들의 염| 페로시아나이드의 염, 아스코르빈산 및 그의 염| 디티오카밤산 및 그의 염| 크산테이트의 염| 에틸렌 디아민 테트라아세트산의 염| SnR4 화합물 (여기에서 각각의 R은 알킬, 아르알킬, 아릴, 및 알크아릴 기로부터 독립적으로 선택된다)| 페로센| 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.제 1 항에 있어서, 무기 나노입자가 금속 옥사이드 나노입자, 금속 카보네이트 나노입자, 금속 플루오라이드 나노입자, 및 이들의 배합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.제 16 항에 있어서, 무기 나노입자가 금속 옥사이드 나노입자인 방법.제 17 항에 있어서, 금속 옥사이드가 실리카, 티타니아, 알루미나, 지르코니아, 바나디아, 안티모니 옥사이드, 틴 옥사이드, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.제 18 항에 있어서, 금속 옥사이드가 실리카인 방법.제 1 항에 있어서, 무기 나노입자가 약 150 나노미터 미만의 평균 직경을 갖는 방법.제 1 항에 있어서, 무기 나노입자가 표면 처리된 방법.제 1 항에 있어서, 노출을 적어도 4 개의 빔을 포함하는 멀티빔 간섭기술을 사용하여 수행하는 방법.제 1 항에 있어서, 노출이 펄스식 모드로 조사함으로써 수행되는 방법.제 1 항에 있어서, 방사선이 근적외 방사선인 방법.제 1 항에 있어서, 광반응성 조성물의 잔류 비-반응 부분을 제거하여 틈새 공백을 형성시키는 방법.제 25 항에 있어서, 광반응성 조성물의 잔류 비-반응 부분의 제거가 용매에 의한 현상에 의해서 수행되는 방법.제 1 항에 있어서, 충전단계가 화학증착에 의해서 물질을 침착시키는 것을 포함하는 방법.제 25 항에 있어서, 광반응성 조성물의 잔류 반응 부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.제 28 항에 있어서, 제거가 화학적 에칭에 의한 것인 방법.제 1 항에 있어서, 물질이 약 2보다 더 큰 굴절률을 갖는 방법.제 1 항에 있어서, 물질이 무기 반도체인 방법.제 31 항에 있어서, 무기 반도체가 규소, 게르마늄, 셀레늄, 갈륨 아르세나이드, 인듐 포스파이드, 갈륨 인듐 포스파이드 및 갈륨 인듐 아르세나이드로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.제 32 항에 있어서, 무기 반도체가 규소인 방법.제 1 항에 있어서, 소결, 열분해 및/또는 어니일링을 더 포함하는 방법.(a) (1) 적어도 하나의 양이온적 반응성 물질, (2) (i) 적어도 하나의 다광자 광증감제, (ii) 적어도 하나의 전자 수용체 및 (iii) 임의로, 적어도 하나의 전자 공여체를 포함하는 다광자 광개시제 시스템, 및 (3) 약 5 나노미터 내지 약 20 나노미터 범위의 평균 입자직경을 갖는 다수의 전축합된 무기 나노입자를 포함하는 실질적으로 무기성인 광반응성 조성물을 제공하고|(b) 적어도 4개의 빔을 포함하는 멀티빔 간섭기술을 이용하여 광반응성 조성물의 적어도 일부분을 광반응성 조성물의 반응 및 비-반응 부분의 삼차원, 서브미크론-스케일의 주기적 패턴을 생성하는데 적절한 파장, 공간 분포 및 강도의 방사선에 노출시키고|(c) 광반응성 조성물의 비-반응 부분의 적어도 일부분을 다광자 흡수 및 광반응을 일으켜 추가의 반응 부분 및 잔류하는 비-반응 부분을 형성시키는데 적절한 파장 및 강도의 방사선에 노출시키고|(d) 광반응성 조성물의 잔류하는 비-반응 부분을 제거하여 틈새 공백을 형성시키고|(e) 틈새 공백을 광반응성 조성물의 잔류하는 반응 부분의 굴절률과는 상이한 굴절률을 갖는 적어도 하나의 물질로 적어도 부분적으로 충전시키고|(f) 광반응성 조성물의 잔류하는 반응 부분을 제거하는 단계를 포함하는 방법.