초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 피이-테오스(PE-TEOS)막 형성 방법에 관한 것으로, 다수개의 웨이퍼를 챔버에 공급하여 균일한 두께로 PE-TEOS막을 형성하기 위해서, 본 발명은 챔버 내의 히터 테이블에 탑재된 다수개의 웨이퍼 각각에 대응되게 설치된 샤워 헤드를 통하여 공정 가스를 분사하여 PE-TEOS막을 형성하는 방법으로, (A) PE-TEOS막 증착 공정을 진행할 웨이퍼가 적재된 공급용 웨이퍼 카세트를 준비하는 단계와; (B) 실질적인 PE-TEOS 증착 공정을 진행하기 전에 상기 챔버 내부를 PE-TEOS 증착 공정을 진행할

본 발명은 반도체 소자의 피이-테오스(PE-TEOS)막 형성 방법에 관한 것으로, 다수개의 웨이퍼를 챔버에 공급하여 균일한 두께로 PE-TEOS막을 형성하기 위해서, 본 발명은 챔버 내의 히터 테이블에 탑재된 다수개의 웨이퍼 각각에 대응되게 설치된 샤워 헤드를 통하여 공정 가스를 분사하여 PE-TEOS막을 형성하는 방법으로, (A) PE-TEOS막 증착 공정을 진행할 웨이퍼가 적재된 공급용 웨이퍼 카세트를 준비하는 단계와; (B) 실질적인 PE-TEOS 증착 공정을 진행하기 전에 상기 챔버 내부를 PE-TEOS 증착 공정을 진행할 조건과 동일한 분위기를 형성하는 단계와; (C) PE-TEOS 증착 공정을 진행할 조건과 동일한 분위기가 형성되면 상기 공급용 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼들을 차례로 상기 챔버 내부의 상기 히터 테이블로 공급하여 설정된 클리닝 시작 시간이 될 때까지 PE-TEOS 증착 공정을 진행하는 단계와; (D) 상기 클리닝 시작 시간이 되면, 상기 공급용 웨이퍼 카세트에서 챔버로의 웨이퍼 공급을 중단하고 상기 챔버 내의 웨이퍼에 대한 PE-TEOS 증착 공정을 완료한 후 웨이퍼를 챔버 밖으로 반출한 다음 챔버 내부를 RF 클리닝하는 단계; 및 (E) 상기 RF 클리닝 과정에서 상승된 상기 샤워 헤드와 챔버 내부의 온도를 낮추기 위해서, RF 파워를 끈 상태에서 상기 샤워 헤드를 통하여 상기 챔버 내부로 TEOS 가스를 분사시켜 상기 샤워 헤드와 챔버 내부의 온도를 낮추는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피이-테오스(PE-TEOS)막 형성 방법을 제공한다. 특히 (E) 단계는, 약 2TORR의 압력에서 RF 파워를 끈 상태에서, TEOS 가스를 2.1㎖/MIN의 속도로 약 250초 분사하는 단계이다.

대표청구항 ▼

챔버 내의 히터 테이블에 탑재된 다수개의 웨이퍼 각각에 대응되게 설치된 샤워 헤드를 통하여 공정 가스를 분사하여 PE-TEOS막을 형성하는 방법으로,(A) PE-TEOS막 증착 공정을 진행할 웨이퍼가 적재된 공급용 웨이퍼 카세트를 준비하는 단계와;(B) 실질적인 PE-TEOS 증착 공정을 진행하기 전에 상기 챔버 내부를 PE-TEOS 증착 공정을 진행할 조건과 동일한 분위기를 형성하는 단계와;(C) PE-TEOS 증착 공정을 진행할 조건과 동일한 분위기가 형성되면 상기 공급용 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼들을 차례로 상기 챔버 내부의 상

챔버 내의 히터 테이블에 탑재된 다수개의 웨이퍼 각각에 대응되게 설치된 샤워 헤드를 통하여 공정 가스를 분사하여 PE-TEOS막을 형성하는 방법으로,(A) PE-TEOS막 증착 공정을 진행할 웨이퍼가 적재된 공급용 웨이퍼 카세트를 준비하는 단계와;(B) 실질적인 PE-TEOS 증착 공정을 진행하기 전에 상기 챔버 내부를 PE-TEOS 증착 공정을 진행할 조건과 동일한 분위기를 형성하는 단계와;(C) PE-TEOS 증착 공정을 진행할 조건과 동일한 분위기가 형성되면 상기 공급용 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼들을 차례로 상기 챔버 내부의 상기 히터 테이블로 공급하여 설정된 클리닝 시작 시간이 될 때까지 PE-TEOS 증착 공정을 진행하는 단계와;(D) 상기 클리닝 시작 시간이 되면, 상기 공급용 웨이퍼 카세트에서 챔버로의 웨이퍼 공급을 중단하고 상기 챔버 내의 웨이퍼에 대한 PE-TEOS 증착 공정을 완료한 후 웨이퍼를 챔버 밖으로 반출한 다음 챔버 내부를 RF 클리닝하는 단계; 및(E) 상기 RF 클리닝 과정에서 상승된 상기 샤워 헤드와 챔버 내부의 온도를 낮추기 위해서, RF 파워를 끈 상태에서 상기 샤워 헤드를 통하여 상기 챔버 내부로 TEOS 가스를 분사시켜 상기 샤워 헤드와 챔버 내부의 온도를 낮추는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피이-테오스(PE-TEOS)막 형성 방법.