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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2002-0079735 (2002-12-13) |
공개번호 | 10-2004-0052017 (2004-06-19) |
등록번호 | 10-0596380-0000 (2006-06-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020079735 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2002-12-13) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
광학적 손실을 최소화할 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판, 상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로, 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로, 및 상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며, 상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(SEPARATED CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE)층이 더 형성된다.
기판;상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로; 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로; 및상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며,상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(separated confinement heterostructure)층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자. 제 1 항에 있어서, 상기 코어층 상하의 SCH층은 상기 코어층에 비하여 상대적으로 큰 밴드갭을 가지면서
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