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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-7012626 (2002-09-24) |
공개번호 | 10-2002-0080501 (2002-10-23) |
등록번호 | 10-0805586-0000 (2008-02-13) |
국제출원번호 | PCT/US2001/009208 (2001-03-23) |
국제공개번호 | WO2001072422 (2001-10-04) |
번역문제출일자 | 2002-09-24 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020027012626 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-03-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
비수성 유기 매질로부터 유기 요오드화물을 제거하는 방법은 약 50 ℃ 보다 높은 온도에서 유기 매질을 은 또는 수은으로 교환된 양이온성 이온 교환 기재에 접촉시키는 것을 포함한다. 이 방법은 아세트산 또는 아세트산 무수물과 같은 유기 매질로부터 고분자량 유기 요오드화물을 제거하는데 특히 효과적이다. 아세트산과 같은 유기 매질로부터 제거되는 특정한 종류로는 요오드화 데실 및 요오드화 도데실을 포함한다.
약 50 ℃ 보다 높은 온도에서 비수성 유기 매질을 은 또는 수은으로 교환된 양이온성 이온 교환 기재에 접촉시키는 것을 포함하는, 비수성 유기 매질로부터 유기 요오드화물을 제거하는 방법.제 1 항에 있어서, 상기 유기 매질이 C10 이상의 지방족 쇄 길이를 갖는 유기 요오드화물을 함유하는 것인 방법. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 매질이 C10 이상의 지방족 쇄 길이를 갖는 유기 요오드화물을 유기 요오드화물의 25 중량% 이상으로 함유하는 것인 방법. 제 3 항에 있어서,상기 유기 매질 중의 유기 요오드화물의 약 50 % 이상이
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