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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2003-0011577 (2003-02-25) |
| 공개번호 | 10-2004-0076301 (2004-09-01) |
| 등록번호 | 10-0527629-0000 (2005-11-03) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020030011577 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2003-02-25) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명은 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비정질 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 후, 이 기판 상에 배열된 각 TFT 내 비정질 실리콘 박막의 결정화를 위해 각 TFT의 소스 전극에 공통으로 연결된 데이터 신호 배선과, 화소 전극과 액정을 매개로 드레인 전극에 공통으로 연결된 ITO 공통 전극을 통해 전압을 인가하는 동시에 열처리를 수행하는 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT-LC
다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판을 제조하는 방법에 있어서,비정질 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 후, 이 기판 상에 배열된 각 TFT의 소스 전극에 공통으로 연결된 데이터 신호 배선과, 드레인 전극에 공통으로 연결된 ITO 공통 전극을 통해 전압을 인가하는 동시에 열처리를 수행하여, 상기 각 TFT 내 비정질 실리콘 박막을 결정화시켜 제조함을 특징으로 하는 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 방법.
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