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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2003-0017576 (2003-03-20) |
공개번호 | 10-2004-0082876 (2004-09-30) |
등록번호 | 10-0493960-0000 (2005-05-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030017576 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-03-20) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 실리콘 전구체를 환원시켜서 다공성 실리콘 입자를 얻는 방법과 상기 방법에 의해 얻어진 다공성 실리콘 입자를 초음파 처리하여 나노크기의 실리콘 입자를 합성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 다공성 실리콘의 제조 방법에 있어서,(A) 분말 상태의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 분말 상태의 실리콘 전구체를 혼합하는 단계 ; 및(B) 상기 (A)단계에서 생성된 혼합물을 비활성 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 다공성 실리콘 입자의 제조 방법을 제공한다.본 발명은 독성이 강한 불산을 사용하지 않고, 원가 부담이 적으며,
다공성 실리콘의 제조 방법에 있어서,(A) 분말 상태의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 분말 상태의 실리콘 전구체를 혼합하는 단계 ; 및(B) 상기 (A) 단계에서 생성된 혼합물을 비활성 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 다공성 실리콘 입자의 제조 방법.
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