초록 ▼

본 발명은 DRAM 소자의 셀 캐패시터에 MPS 공정을 적용할 때 건조 효율을 개선시키는 웨이퍼 클리닝 공정에 이용되는 건조 방법 및 건조기를 개시한다.본 발명은 DRAM 소자의 셀 캐패시터를 형성하기 위한 MPS(METASTABLE POLY SILICON) 증착 공정에서 MPS 그레인 성장 전 클리닝 공정에 적용되며, 식각액을 사용하여 스토리지 노드 실리콘 표면에 생성되는 계면 산화막을 제거하는 공정, 상기 계면 산화막이 제거된 후 탈이온수를 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정, 및 세정된 상기 웨이퍼를 IPA(ISOPROPHIL

본 발명은 DRAM 소자의 셀 캐패시터에 MPS 공정을 적용할 때 건조 효율을 개선시키는 웨이퍼 클리닝 공정에 이용되는 건조 방법 및 건조기를 개시한다.본 발명은 DRAM 소자의 셀 캐패시터를 형성하기 위한 MPS(METASTABLE POLY SILICON) 증착 공정에서 MPS 그레인 성장 전 클리닝 공정에 적용되며, 식각액을 사용하여 스토리지 노드 실리콘 표면에 생성되는 계면 산화막을 제거하는 공정, 상기 계면 산화막이 제거된 후 탈이온수를 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정, 및 세정된 상기 웨이퍼를 IPA(ISOPROPHIL ALCOHOL)를 사용하여 건조시키는 공정을 포함한다. 그리고, 건조기는 버블링 탱크와 클리닝 배쓰를 구비하며, 소스를 달리하여 캐리어 가스를 공급받고, 버블링된 IPA를 포함하는 캐리어 가스를 웨이퍼에 직접 분사하는 노즐부를 구비한다.

대표청구항

DRAM 소자의 셀 캐패시터를 형성하기 위한 MPS(METASTABLE POLY SILICON) 증착 공정에서 MPS 그레인 성장 전 클리닝 공정에 있어서,식각액을 사용하여 스토리지 노드 실리콘 표면에 생성되는 계면 산화막을 제거하는 공정,상기 계면 산화막이 제거된 후 탈이온수를 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정, 및세정된 상기 웨이퍼를 IPA(ISOPROPHIL ALCOHOL)를 사용하여 건조시키는 공정을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 공정에 이용되는 건조 방법.

DRAM 소자의 셀 캐패시터를 형성하기 위한 MPS(METASTABLE POLY SILICON) 증착 공정에서 MPS 그레인 성장 전 클리닝 공정에 있어서,식각액을 사용하여 스토리지 노드 실리콘 표면에 생성되는 계면 산화막을 제거하는 공정,상기 계면 산화막이 제거된 후 탈이온수를 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정, 및세정된 상기 웨이퍼를 IPA(ISOPROPHIL ALCOHOL)를 사용하여 건조시키는 공정을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 공정에 이용되는 건조 방법.