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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2003-0054708 (2003-08-07) |
공개번호 | 10-2005-0015757 (2005-02-21) |
등록번호 | 10-1021875-0000 (2011-03-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030054708 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-08-04) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 산화하프늄(HfO2)막 혹은 산화질화하프늄(HfNxOy)막의 금속유기화학적 증착방법(metal organic chemical vapor deposition)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 개선된 박막균일도 및 두께재현성을 가지는 산화하프늄(HfO2)막 혹은 산화질화하프늄(HfNxOy)막의 금속유기화학적 증착방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 소스물질은 끊는점이 종래 소스물질보다 높음에 따라 LDS의 기화온도를 적절하게 제어 관리해주기만 한다면 막의 균일도 및 두께 재현성에 있어 뛰어난 박막을 구현할 수 있게 해주며,
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