다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
|
| 출원번호 | 10-2003-0094241 (2003-12-20) |
| 공개번호 | 10-2005-0062230 (2005-06-23) |
| 등록번호 | 10-1016810-0000 (2011-02-15) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020030094241 |
| 발명자 / 주소 |
|
| 출원인 / 주소 |
|
| 대리인 / 주소 |
|
| 심사청구여부 | 있음 (2008-10-07) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
공정 챔버 내로 플라즈마 형성용 가스를 공급하는 라인과 연결된 기체 주입공이 다수 형성된 전극과, 전극에 대향되도록 장착된 기판을 음극으로 대전시킬 수 있는 척을 구비하여 이루어지는 플라즈마 표면처리 장치에 있어서, 전극과 기판 사이에 중간 전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치가 개시된다. 따라서, 공급된 가스량 대비 플라즈마에 의한 표면처리 효과를 극대화할 수 있고, 비반응 가스가 전극부에 퇴적되어 전극부 절연 현상이 발생하는 것을 방지하여 공정 챔버 내의 방전의 안정성 및 기판 처리를 위한 이온 집속의
공정 챔버 내에 플라즈마 형성용 가스를 공급하기 위한 가스 공급라인,상기 가스 공급라인에 연결되며, 기체 주입공이 다수 형성되고 전자를 발생시키는 전극과, 상기 전극에 대향되게 장착된 기판을 음극으로 대전시킬 수 있는 척을 구비하여 이루어지는 플라즈마 표면처리 장치에 있어서, 상기 전극과 상기 기판 사이에 중간 전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.