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| 저자 | 장미경 기자 |
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| 원문 | 사이언스타임즈 |
| 출처 | https://www.sciencetimes.co.kr/?p=23400 |
나노 소자 고집적화에 필수적인 세계 최고 수준의 박막 증착 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 한양대 전형탁 교수 연구팀은 한국표준과학연구원 조만호 박사팀과 공동으로 테라급 나노 소자에 적용할 수 있는 ‘원거리 플라즈마 원자층 증착 기술’ 개발에 성공했다고 23일 밝혔다.
원자층 증착(ALD) 기술은 화학적 흡착 현상을 이용해 웨이퍼 표면에 A소스와 B소스를 번갈아 공급, 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로써 기판 위에 한 원자층씩 초미세 층간 증착이 가능하도록 하는 기술이다.
ALD 기술을 사용하면 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착시키는 화학기상증착(CVD) 공정에 비해 불순물을 억제하면서도 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있다는 장점이 있다.
하지만 이 공정에서도 문제점은 존재한다. ALD 기술로 여러 소재를 이용해 우수한 특성을 지닌 박막을 형성하는 과정에서 이온들에 의한 기판 및 박막 손상 현상이 생겨나 박막의 특성이 나빠지는 것.
연구팀은 이러한 문제점을 해결하기 위해 플라즈마 발생 지역과 기판 사이의 간격을 기존 방식보다 충분히 넓게 확보함으로써 플라즈마 이온들이 기판에 주는 영향을 최소화했다.
결과적으로 이온들 때문에 생겨나는 기판과 박막 손상이 크게 줄어들어 플라즈마에 의한 손상이 없는 박막을 기판에 증착시키는 우수한 결과를 얻어냈다.
이번 연구 성과에 대해 전 교수는 “기존의 직접 플라즈마 방식보다 박막의 전자이동도가 50% 향상됐다”면서 “원거리 플라즈마 증착 기술은 우리나라가 반도체 공정 분야에서 세계 최고 수준임을 다시 한번 입증하는 결과물이며, 테라급 나노 소자를 제작하는 핵심 기술로 자리잡게 될 것으로 기대된다”고 말했다.
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