초록 ▼

개량된 근접 센서(100a-100e), 및 이를 사용하는 방법이 기재되어 있다. 공지의 센서에 있어서, 예를 들면 프로그램 가능성, 비용, 동작 전력, 동작 전압 및 정확도와 같은 다수의 문제점들이 확인되고 있다. 따라서, 본 발명은 주문형 집적회로(ASIC)(10) 및 복수 개의 외부 구성요소들을 포함하는 유도 근접 센서 또는 스위치(100a-100e)를 제공한다. ASIC(10)는 CMOS 기술로 수행되며, 발진기를 가지며, 상기 센서/스위치(100a-100E)의 스위치 포인트는 상기 발진기의 전위 노드로 바이어스 전압을

개량된 근접 센서(100a-100e), 및 이를 사용하는 방법이 기재되어 있다. 공지의 센서에 있어서, 예를 들면 프로그램 가능성, 비용, 동작 전력, 동작 전압 및 정확도와 같은 다수의 문제점들이 확인되고 있다. 따라서, 본 발명은 주문형 집적회로(ASIC)(10) 및 복수 개의 외부 구성요소들을 포함하는 유도 근접 센서 또는 스위치(100a-100e)를 제공한다. ASIC(10)는 CMOS 기술로 수행되며, 발진기를 가지며, 상기 센서/스위치(100a-100E)의 스위치 포인트는 상기 발진기의 전위 노드로 바이어스 전압을 선택함으로써 미리 결정된다.

대표청구항 ▼

적어도 하나 이상의 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 구성요소를 갖는 유도 근접 센서.제 1 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 유도 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 복수 개의 CMOS 구성요소를 포함하는 센서. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 디지털 출력을 갖는 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서의 출력이 아날로그인 센서. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 CM

적어도 하나 이상의 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 구성요소를 갖는 유도 근접 센서.제 1 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 유도 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 복수 개의 CMOS 구성요소를 포함하는 센서. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 디지털 출력을 갖는 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서의 출력이 아날로그인 센서. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 CMOS 구성요소(들)가 하나 이상의 트랜지스터, 저항기, 커패시터, 가용성 링크, 다중 퓨즈로부터 선택되는 센서.제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 CMOS 구성요소(들)가 적어도 부분적으로는 실리콘으로 제조되는 센서.상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 방법에 의해 ASIC의 하나 이상의 구성요소를 형성하는 단계를 포함하는, 유도 근접 센서에서 또는 유도 근접 센서로서 사용하기 위한 주문형 집적회로(ASIC)를 제조하는 방법.발진기를 가지며, 그의 스위치 포인트가 발진기의 전위 노드로 바이어스 전압의 선택에 의해 미리 결정되는 유도 근접 스위치. 제 9 항에 있어서, 상기 바이어스 전압의 선택이 검출 헤드 상에서 이득 또는 진폭을 조정하는 스위치.제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 발진기는 유도 근접 스위치의 적어도 일부를 형성하는 주문형 집적회로(ASIC)의 적어도 일부를 포함하는 스위치. 유도 근접 스위치의 발진기의 전위 노드로 바이어스 전압의 선택에 의해 유도 근접 스위치의 스위치 포인트를 설정하는 방법. 발진기, 및 온도 보상 수단을 포함하고 발진기로부터 출력 전압을 실질적으로 유지하기 위한 유지 수단을 포함하는 유도 근접 센서. 제 13 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 유도 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 온도 보상 수단이 사용 중에 발진기의 온도가 변하면 출력 전압을 유지하는 역할을 하는 센서. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 보상 수단이 발진기의 노드에 인가될 수 있는 온도 보상 신호를 제공하는 센서.제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 보상 수단이 온도 보상 회로를 포함하는 센서.제 17 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 온도에 따라 실질적으로 일정한 밴드갭 기준 블록 회로 전압을 제공하는 역할을 하고, 온도 보상 회로 및 따라서 발진기에 인가되는 임의의 변화의 변화 신호 지수를 나타내는 밴드갭 기준 블록 회로를 제공하는 센서. 온도 보상 수단을 제공하는 단계; 상기 온도 보상 수단으로부터 온도 보상 신호를 구축하는 단계; 상기 온도 보상 신호에 의해 출력 전압을 유지하는 단계를 포함하는, 유도 근접 센서의 발진기로부터 출력 전압을 유지하는 방법. 발진기를 포함하고, 사용 중에 상기 발진기의 바이어스 전압은 복수 개의 연속 근사 단계에 의해 선택되는 유도 근접 센서. 제 20 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 유도 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 발진기의 제어 노드에 인가되는 전압을 적절히 변화시키는 n-비트 변환기를 포함하는 센서. 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 아날로그-디지털(a-to-d) 변환기를 포함하는 센서. 복수 개의 연속 근사법 단계를 수행하는 단계를 포함하는 유도 근접 센서의 발진기의 바이어스 전압을 선택하는 방법. 유도 근접 센서의 출력 기능이 유도 근접 센서의 전압 공급 입력에 소정의 전압을 인가함으로써 프로그램되거나 또는 선택되는 유도 근접 센서. 제 25 항에 있어서, 상기 유도 근접 센서가 유도 근접 스위치를 포함하는 센서. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 상기 소정의 전압 인가가 하나 이상의 퓨즈를 파열시키는 센서. 제 25 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서, 소정의 전압이 복수 개의 퓨즈에 인가되는 코드 신호를 표시하는 코드 신호 처리 수단에 인가되어 하나 이상의 퓨즈를 파열되게 함으로써 유도 근접 센서의 기능을 설정하는 센서. 제 28 항에 있어서, 상기 기능이 싱크 개방, 소스 개방, 싱크 폐쇄, 소스 폐쇄로부터 선택되는 센서. 유도 근접 센서의 전력 공급 입력에 소정의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 유도 근접 센서의 기능을 프로그래밍 또는 선택하는 방법. 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 따른 유도 근접 센서 또는 스위치에서 사용하기 위한 ASIC(주문형 집적회로). 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 따른 유도 근접 센서 또는 스위치를 포함하는 장치. 첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 유도 근접 스위치. 첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 주문형 집적회로(ASIC)를 제조하는 방법. 첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 유도 근접 스위치.첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 유도 근접 스위치의 스위치 포인트를 설정하는 방법. 첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 유도 근접 센서의 발진기로부터 출력 전압을 유지하는 방법.첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 유도 근접 센서의 발진기의 바이어스 전압을 선택하는 방법.유도 근접 센서의 기능을 프로그램하거나 선택하는 방법.첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 주문형 집적회로(ASIC).첨부 도면을 참조로 하여 상술한 바와 같은 장치.<