초록 ▼

본 발명은 수직 브리지만(VERTICAL BRIDGMAN) 법으로 GAAS 단결정을 제조함에 있어 특히고순도 흑연(GRAPHITE)로 PBN CRUCIBLE을 전체적으로 에워싸도록 하여 지지대 역할을 기할 수 있도록함으로써 원형 GAAS 웨이퍼(WAFER)의 수율을 향상토록한 GAAS 단결정 성장방법에관한 것이다. 일반적으로, GAAS 단결정 성장방법에는 LEC(LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI) 법과 수평으로 성장시키는 HB(HORIZONTAL BRIDGEMA

본 발명은 수직 브리지만(VERTICAL BRIDGMAN) 법으로 GAAS 단결정을 제조함에 있어 특히고순도 흑연(GRAPHITE)로 PBN CRUCIBLE을 전체적으로 에워싸도록 하여 지지대 역할을 기할 수 있도록함으로써 원형 GAAS 웨이퍼(WAFER)의 수율을 향상토록한 GAAS 단결정 성장방법에관한 것이다. 일반적으로, GAAS 단결정 성장방법에는 LEC(LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI) 법과 수평으로 성장시키는 HB(HORIZONTAL BRIDGEMAN) 법이주로 사용되어 왔으나, 상기 LEC 법은 원형의 웨이퍼 (WAFER)제작이 용이하나 높은 온도 기울기 때문에 고품위의 단결정 제조가 어려웠으며, 상기 HB법에 있어서는 고품위 단결정이 가능한 반면에 원형 웨이퍼(WAFER)의 제조시 낮은 수율이 문제시 되었다. 즉, 제 1 도에 도시한 바와 같이 종래의 PBN 지지대에서는 "A" 부분에서 급격한 열적변화 현상이 발생되는 한편, 이로 인해 쌍정(TWIN) 및 다결정이 생성되게 된다. 따라서, 본 발명에서는 이와 같은 종래일반적인 두 방법의 조합형인 VB법에 관한 것으로, 고품위 원형 웨이퍼(WAFER)의 제작이 기존의 방법과는 완전 상이하다는 것에 그 특징이 있는 것이며, 원형의 용기내에 GAAS MELT가 들어있기 때문에 원형의 단결정을 얻기가 용이하고 낮은 온도 기울기에 의한 결함제거 및 횡축(RADIAL) 온도 기울기의 대칭성에 의한 고-액 계면의 안정성 등이 저결함을 갖는 원형의 웨이퍼(WAFER) 양산제조가 가능한 방법으로, 이를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명은제 2 도에서 나타낸 바와 같이, PBN 보우트(BOAT) (1)를 고순도 흑연(GRAPHITE) 지지대(2)로 전체면을 에워싸는 형태로 구성한다. 상기와 같이 실시하면, 고-액 계면이이동할 때 발생하던 갑작스러운 열전도의 변차에 따른 종래의 "A" 부에서의 쌍정 (TWIN)이나 심할 경우의 다결정화(POLY-NUCLEATION)의 발생을 방지할 수 있게 되는 것이다. 한편, 상기 PBN CRUCIBLE을 둘러싸는 지지대는 PBN으로 하여도 좋으며 또한 AIN으로 하여도 무방하다. 이상에서 상술한 바와 같이본 발명에 의하면, PBN CRUCIBLE을 구성함에 있어 그 전체를 둘러싸도록 지지대를 구성하였으며, 이를 고순도 흑연(GRAPHITE), PBN, AIN등으로 설정하는 한편, LEC법과 HB법을 조합한 이른바 VB(VERTICAL BRIDGMAN)법을 이용하여 GAAS 단결정을 제조함으로써 단결정 수율이 대폭 향상되며 고품위의 단결정 성장을 기할 수 있도록 한수직 브리지만(VB)법에 의한 GAAS 단결정 성장방법인 것이다.

대표청구항

GAAS 단결정을 제조함에 있어서 지지대로 전체를 둘러싸도록 구성시킨 PBN 또는 석영 CRUCIBLE을 사용한 것을 특징으로 하는 수직 브리지만(VB)법에 의한 GAAS 단결정 성장방법.

GAAS 단결정을 제조함에 있어서 지지대로 전체를 둘러싸도록 구성시킨 PBN 또는 석영 CRUCIBLE을 사용한 것을 특징으로 하는 수직 브리지만(VB)법에 의한 GAAS 단결정 성장방법.