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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 김도현 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1994-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
연구관리전문기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200016611 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 수령 Bridgman 방식.결정성장.갈륨비소.유한요소법.진동대류.시간의존.Horizontal Bridgman method.crystal growth.gallium arsenide finite element method.oscillatory convection.time-dependent. |
수평 브릿지만법은 갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는데 많이 사용된다. 부평 브릿지만법에 의하여 성장된 단결정 내에서 불순물 분포를 알아보기 위하여 성장 과정중의 액상에서 열전달, 물질전달, 유체흐름과 고상에서 열전달을 수치모사하였다. 액상만 존재하는 경우에 대하여 자연대류의 구동력 변화에 따른 유체흐름의 구조와 시간 의존성에 대하여 조사하였다. 그 결과 액상과 고상이 같이 존재하는 의사 정상상태나 비정상상태 문제를 풀었으며 고-액 계면의 위치와 형태도 해의 일부분으로 구하였다. 2차원 정상상태 단열 경계조건에서는 계면이 평
Gallium arsenide crystal is usually grown from the melt by the horizontal Bridgman method. As the driving force for natural convection increases, we invetigated the flow structure and time-dependent behaviour in the melt only system. We also constructed pseudo-steady-state and transient model for
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