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연합인증

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갈륨아세나이드 단결정 성장시 나타나는 다결정화 및 쌍정결함의 제어방안. 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-029/42
출원번호 10-2004-0011216 (2004-02-20)
공개번호 10-2005-0082685 (2005-08-24)
DOI http://doi.org/10.8080/1020040011216
발명자 / 주소
  • 오명환 / 경기 김포시 풍무동 유현마을신동아아파트***-***호
출원인 / 주소
  • 네오세미테크 주식회사 / 인천광역시 연수구 송도동 *-**
심사청구여부 있음 (2004-02-20)
심사진행상태 출원무효처분
법적상태 무효

초록

내용 적용

대표청구항

GAAS단결정 성장시 부적합한 성장조건에 의한 EDGE CONCAVITY가 증가하거나 감소할 수 있다. 따라서 이를 최소화해줄 성장조건의 적합화를 위해서 PBN CRUCIBLE의 원추형상 각도-성장속도-최대 MELT온도조건의 적정조건을 정립하였다. 원추형 각도는 45도 이내일 때EDGE CONCAVITY가 최소화되었으며, 이 경우 성장속도는 이론적 열균형식에 의한 값의 60% 이하로 제어해야한다. 또한 석영CRUCIBLE을 적용하는 경우가 PBN 경우보다 바람직하나, 석영은 표면을 SANDBLASTING처리하는 것 외에 고온 융착반

발명자의 다른 특허 :

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