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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2004-0011216 (2004-02-20) |
공개번호 | 10-2005-0082685 (2005-08-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040011216 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-02-20) |
심사진행상태 | 출원무효처분 |
법적상태 | 무효 |
내용 적용
GAAS단결정 성장시 부적합한 성장조건에 의한 EDGE CONCAVITY가 증가하거나 감소할 수 있다. 따라서 이를 최소화해줄 성장조건의 적합화를 위해서 PBN CRUCIBLE의 원추형상 각도-성장속도-최대 MELT온도조건의 적정조건을 정립하였다. 원추형 각도는 45도 이내일 때EDGE CONCAVITY가 최소화되었으며, 이 경우 성장속도는 이론적 열균형식에 의한 값의 60% 이하로 제어해야한다. 또한 석영CRUCIBLE을 적용하는 경우가 PBN 경우보다 바람직하나, 석영은 표면을 SANDBLASTING처리하는 것 외에 고온 융착반
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