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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2004-0016943 (2004-03-12) |
공개번호 | 10-2005-0091476 (2005-09-15) |
등록번호 | 10-0599327-0000 (2006-07-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040016943 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-03-12) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 화학기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 256 메가디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 연마제 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 여러 가지 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 최적화하여 0.25㎛ 이하의 초고집적 반도
화학적 기계적 연마용 슬러리로서, 연마입자가 미세 연마 입자와 큰 연마 입자로 각각 분리된 두개의 피크를 가지는 입자 크기 분포를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
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