IPC분류정보
| 국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 |
10-2004-0035025
(2004-05-18)
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| 공개번호 |
10-2005-0110138
(2005-11-23)
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| 등록번호 |
10-0548909-0000
(2006-01-25)
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| DOI |
http://doi.org/10.8080/1020040035025
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발명자
/ 주소 |
- 장혁규
/ 경기도성남시분당구금곡동청솔마을***동****호
- 김현창
/ 경기도평택시지산동건영아파트***동***호
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| 출원인 / 주소 |
- 주식회사 메카로닉스 / 경기도 평택시 모곡동 ***-*
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| 대리인 / 주소 |
-
김희곤;
김인한
(Kim, Hee Gon)
-
서울 서초구 서초동 ****-** 일흥빌딩 *층 (피앤케이국제특허법률사무소);
서울 서초구 서초동 ****-** 일흥빌딩 *층 (피앤케이국제특허법률사무소)
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| 심사청구여부 |
있음 (2004-05-18) |
| 심사진행상태 |
등록결정(일반) |
| 법적상태 |
소멸 |
초록
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본 발명은 ALQ3 박막 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학기상 증착법을 이용하여 ALQ3 박막을 대량 생산할 수 있는 ALQ3 박막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 화학기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 1) 반응 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 반응 챔버 내부를 특정한 반응 온도로 유지하는 단계; 및 2) 반응 챔버 내부로 알루미늄 원료 물질 및 8-히드록시퀴놀린 계열 물질을 공급하고, 반응시키는 단계
본 발명은 ALQ3 박막 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학기상 증착법을 이용하여 ALQ3 박막을 대량 생산할 수 있는 ALQ3 박막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 화학기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 1) 반응 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 반응 챔버 내부를 특정한 반응 온도로 유지하는 단계; 및 2) 반응 챔버 내부로 알루미늄 원료 물질 및 8-히드록시퀴놀린 계열 물질을 공급하고, 반응시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 ALQ3 박막 제조방법을 제공한다.
대표청구항
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화학기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 1) 반응 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 반응 챔버 내부를 특정한 반응 온도로 유지하는 단계| 및2) 반응 챔버 내부로 알루미늄 원료 물질 및 8-히드록시퀴놀린 계열 물질을 공급하고, 반응시키는 단계| 를포함하는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 2) 단계 수행후에, 미반응 원료 물질 및 부산물을 제거하는 퍼징 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 2) 단계를 적어도 2회 반복하여 수행하
화학기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 1) 반응 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 반응 챔버 내부를 특정한 반응 온도로 유지하는 단계| 및2) 반응 챔버 내부로 알루미늄 원료 물질 및 8-히드록시퀴놀린 계열 물질을 공급하고, 반응시키는 단계| 를포함하는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 2) 단계 수행후에, 미반응 원료 물질 및 부산물을 제거하는 퍼징 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 2) 단계를 적어도 2회 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 반응 온도는,15 ~ 500℃ 인 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 알루미늄 원료 물질은, 트리메틸알루미늄(TMAl)트리메틸알루미늄-디메틸에틸아민(TMAl-DMEA)트리메틸알루미늄-트리메틸아민(TMAl-TMA)트리메틸알루미늄-트리에틸아민(TMAl-TEA)트리메틸알루미늄-메틸피롤리딘(TMAl-MP)트리메틸알루미늄-에틸피롤리딘(TMAl-EP)트리메틸알루미늄-에틸피페리딘(TMAl-EPP)트리메틸알루미늄-에틸모폴린(TMAl-EMP)트리에틸알루미늄(TEAl)트리에틸알루미늄-디메틸에틸아민(TEAl-DMEA)트리에틸알루미늄-트리메틸아민(TEAl-TMA)트리에틸알루미늄-트리에틸아민(TEAl-TEA)트리에틸알루미늄-메틸피롤리딘(TEAl-MP)트리에틸알루미늄-에틸피롤리딘(TEAl-EP)트리에틸알루미늄-에틸피페리딘(TEAl-EPP)트리에틸알루미늄-에틸모폴린(TEAl-EMP)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 8-히드록시퀴놀린 계열 물질은, 8-히드록시 퀴놀린(hydroxy quinoline)5-클로로-8-히드록시 퀴놀린(5-chloro-8-hydroxy quinoline)4-메틸-8-히드록시 퀴놀린(4-methyl-8-hydroxy quinoline)5,7-디클로로-8-히드록시 퀴놀린(5,7-dichloro-8-hydroxy quinoline)2-메틸-8-히드록시 퀴놀린(2-methyl-8-hydroxy quinoline)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 알루미늄 원료 물질 및 8-히드록시퀴놀린 계열 물질은, 기체 상태로 반응 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제1항에 있어서, 상기 알루미늄 원료 물질 및 8-히드록시퀴놀린 계열 물질은, 0.1초 ~ 1 시간 동안 반응 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제2항에 있어서, 상기 퍼징 단계에서는, 반응 챔버에 마련되는 진공 펌프를 이용하여 미반응 원료 물질 및 부산물을 흡입하여 제거하는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제2항에 있어서, 상기 퍼징 단계에서는, 헬륨(He), 수소(H2), 질소(N2), 아르곤(Ar) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 퍼징 가스를 주입하고, 반응 챔버에 마련되는 진공 펌프를 이용하여 반응 챔버 내에 존재하는 가스를 흡입하여 제거하는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.제10항에 있어서, 상기 퍼징 가스는, 1 ~ 1000 sccm의 유량으로 0.1 ~ 100초 동안 주입되는 것을 특징으로 하는 Alq3 박막 제조방법.
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