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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2004-0050515 (2004-06-30) |
공개번호 | 10-2005-0004051 (2005-01-12) |
등록번호 | 10-1053653-0000 (2011-07-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040050515 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-03-19) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
반도체 다층구조를 형성하기 위한 STI(Shallow Trench Isolation) 공정의 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP) 공정에 특히 유용하고, 미세 스크래치의 발생을 최소화하며, 산화막과 질화막의 연마 선택비가 높은 화학 기계적 연마 슬러리 조성물이 개시된다.상기 슬러리 조성물은 산화세륨 연마제, 카르복실산 또는 그 염, 알코올계 화합물, 및 물을 포함하며, 전체 슬러리 조성물에 대하여 상기 산화세륨 연마제의 함량은 0.1 내지 20중량%이고, 상기 카르복실산 또는 그 염의 함
산화세륨 연마제;카르복실산 또는 그 염;알코올계 화합물; 및물을 포함하며,상기 알코올계 화합물은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 폴리에틸렌글리콜, 자이리톨, 트리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 2-아미노-1-부탄올, 네오펜틸 글리콜 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화학 기계적 연마 슬러리 조성물.
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