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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2005-0045512 (2005-05-30) |
공개번호 | 10-2006-0123878 (2006-12-05) |
등록번호 | 10-1126124-0000 (2012-03-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050045512 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-04-09) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
반도체 다층구조를 형성하기 위한 STI(Shallow Trench Isolation) 공정의 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP) 공정에 특히 유용하고, 실리콘 웨이퍼 상의 연마 균일도를 향상시켜, 디싱(Dishing) 및 침식(Erosion)을 감소시키는 화학 기계적 연마 슬러리 조성물이 개시된다.상기 슬러리 조성물은 산화세륨 연마제, 중량 평균분자량 50,000 내지 500,000의 폴리카르복실산 또는 그 염,알코올계 화합물, 및 물을 포함하며, 전체 슬러리 조성물에 대하여 상기 산화
산화세륨 연마제;중량 평균분자량 50,000 내지 500,000의 폴리카르복실산 또는 그 염;알코올계 화합물; 및물을 포함하는 화학 기계적 연마 슬러리 조성물에 있어서,상기 알코올계 화합물은 폴리에틸렌글리콜, 자이리톨, 트리에틸렌글리콜 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 슬러리 조성물의 pH는 5 내지 10이고, 필드산화막 및 질화규소막의 연마를 수행하는 것인 화학 기계적 연마 슬러리 조성물.
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