단파장의 노광원 하에서도 해상도가 우수하고, 내식각성, 내열성 및 접착성이 우수하며, 현상액에 대한 친화도가 높아, 라인에지 러프니스가 개선된 미세 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는, 화학식 및 로 표시되는 반복 단위를 포함하는 포토레지스트용 중합체, 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다(상기 화학식에서, X1, X2, R*, R**, R', R", M, N, O, A 및 C는 명세서에서 정의한 바와 같다).
대표청구항▼
하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 중합체.[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 CH2, CH2CH2, O 또는 S이고, R* 및 R**은 각각 독립적으로 H, CH3 또는 CF3이며, R``은 H 또는 CH3이고, R"은 CH3 또는 C2H5이며, n은 0, 1 또는 2이고, m 및 o는 각각 독립적으로 0 또는
하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 중합체.[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 CH2, CH2CH2, O 또는 S이고, R* 및 R**은 각각 독립적으로 H, CH3 또는 CF3이며, R``은 H 또는 CH3이고, R"은 CH3 또는 C2H5이며, n은 0, 1 또는 2이고, m 및 o는 각각 독립적으로 0 또는 1이며, a 및 c는 상기 중합체를 이루는 전체 단량체에 대한 각 반복 단위의 몰%로서, 각각 1~90mol%이다.제 1 항에 있어서, 상기 중합체는 a 및 c가 각각 1~60mol% 및 1~60mol%인 것인 화학증폭형 포토레지스트용 중합체.제 1 항에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 화학증폭형 포토레지스트용 중합체.[화학식 3] 상기 화학식 3에서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 CH2, CH2CH2, O 또는 S이고, R*, R**, R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, CH3 또는 CF3이며, R``은 H 또는 CH3이고, R"은 CH3 또는 C2H5이며, R3는 C1∼C20의 알킬 또는 C5∼C20의 사이클로알킬이고, R4는 C1∼C20의 히드록시알킬, 할로겐치환기를 가지는 C1∼C20의 히드록시 알킬, 에테르기 또는 에스테르기를 포함하는 C5∼C10의 알킬, 또는 에테르기 또는 에스테르기를 고리 내에 포함하는 C5∼C10의 사이클로알킬이며, n은 0, 1 또는 2이고, m 및 o는 각각 독립적으로 0 또는 1이며, a, b, c, d 및 e는 상기 중합체를 이루는 전체 단량체에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 1~20mol% : 1~30mol% : 10~40mol% : 10~60mol% : 1~40mol%이다.제 1 항에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 4 및 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화학증폭형 포토레지스트용 중합체.[화학식 4] [화학식 5] 상기 화학식 4 및 5에서, R*, R**, R``, R", R1, R2, R3, R4, n, a, b, c, d 및 e는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 같다.제 1 항에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 6a 내지 6h로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화학증폭형 포토레지스트용 중합체.[화학식 6a] [화학식 6b] [화학식 6c] [화학식 6d] [화학식 6e] [화학식 6f] [화학식 6g] [화학식 6h] 상기 화학식 6a 내지 6h에서, R``, R", a, b, c, d 및 e는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 같다.상기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 중합체, 광산발생제 및 유기용매를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.제 6 항에 있어서, 상기 광산발산제는 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트,디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인 화학증폭형 포토레지스트 조성물.제 6 항에 있어서, 상기 광산발생제의 함량은 화학증폭형 포토레지스트용 중합체에 대하여 0.05 내지 10 중량%인 화학증폭형 포토레지스트 조성물.제 6 항에 있어서, 상기 유기용매는 디에틸렌글리콜디에틸에테르 , 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 에틸 락테이트 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 화학증폭형 포토레지스트 조성물.제 6 항에 있어서, 상기 유기용매의 함량은 화학증폭형 포토레지스트용 중합체에 대하여 500 내지 2000 중량%인 화학증폭형 포토레지스트 조성물.상기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트용 중합체를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물| 산을 발생시키는 광산 발생제| 및 유기 용매를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계| 및상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 단계| 및노광된 포토레지스트 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.제 11 항에 있어서, 상기 노광 단계의 노광원은 ArF, KrF, EUV, VUV, E-빔, X-선, 이머젼 리소그래피 및 이온 빔으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
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