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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0083994 (2009-09-07) |
공개번호 | 10-2011-0026199 (2011-03-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090083994 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 하드 베이킹, 플라즈마 에칭 및 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 막질의 부식 없이 매우 효과적으로 제거한다. 또한, 생산라인 전단의 공정에서 소오스/드레인 영역을 형성하기 위해서 불순물을 도핑하는 이온주입공정 후 경화된 포토레지스트의 박리 공정에도 탁월한 효과를 나타낸다.
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 제4급 암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 하기 화학식 2으로 표시되는 화합물; (C) 당류, 당알콜류, C3~C10의 히드록시 시클로알칸 화합물, 방향족 히드록시 화합물, 아세틸렌알코올, 카르복실산 화합물 및 카르복실산 화합물의 무수물, 및 트리아졸 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (D) 알킬렌글리콜계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매; 및(E) 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트
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