초록 ▼

본 발명은 난드 플래시 메모리의 로우 디코더 회로 및 이를 이용한 동작 전압 공급 방법에 관한 것으로, 로우 리코더 회로에 포함된 고전압 패스 트랜지스터의 게이트로 전원전압보다 높게 펌핑된 전압(이하, 펌핑 전압)이 목표 전압보다 낮은 전압으로 인가되어 메모리 셀의 게이트로 인가될 동작 전압(예를 들면, 프로그램 전압, 패스 전압 또는 리드 전압)이 정상적으로 전달되지 못하는 것을 방지하기 위하여, 고전압 패스 트랜지스터의 게이트로 펌핑 전압을 먼저 인가(프리챠지)한 후 드레인으로 동작 전압을 인가함으로써, 트랜지스터의 구조에 의한

본 발명은 난드 플래시 메모리의 로우 디코더 회로 및 이를 이용한 동작 전압 공급 방법에 관한 것으로, 로우 리코더 회로에 포함된 고전압 패스 트랜지스터의 게이트로 전원전압보다 높게 펌핑된 전압(이하, 펌핑 전압)이 목표 전압보다 낮은 전압으로 인가되어 메모리 셀의 게이트로 인가될 동작 전압(예를 들면, 프로그램 전압, 패스 전압 또는 리드 전압)이 정상적으로 전달되지 못하는 것을 방지하기 위하여, 고전압 패스 트랜지스터의 게이트로 펌핑 전압을 먼저 인가(프리챠지)한 후 드레인으로 동작 전압을 인가함으로써, 트랜지스터의 구조에 의한 셀프 부스팅(SELF BOOSTING) 현상에 의해 고전압 패스 트랜지스터의 게이트로 인가되는 펌핑 전압이 목표 전압보다 높게 상승되어 메모리 셀의 게이트로 인가될 동작 전압을 정상적으로 전달할 수 있다.

대표청구항 ▼

메인 메모리 어레이에 포함된 특정 메모리 블록을 선택하기 위한 블록 디코더; 상기 블록 디코더의 출력 신호에 따라 동작 전압들을 상기 메모리 블록으로 전달하는 패스 트랜지스터들이 포함된 제1 스위칭 블록; 및 상기 출력 신호가 상기 패스 트랜지스터들의 게이트로 인가되는 것을 감지한 후 상기 동작 전압들을 상기 패스 트랜지스터들의 드레인으로 각각 전달하는 제2 스위치 블록을 포함하여, 상기 동작 전압들이 안정적으로 전달될 수 있도록 상기 출력 신호를 상기

메인 메모리 어레이에 포함된 특정 메모리 블록을 선택하기 위한 블록 디코더; 상기 블록 디코더의 출력 신호에 따라 동작 전압들을 상기 메모리 블록으로 전달하는 패스 트랜지스터들이 포함된 제1 스위칭 블록; 및 상기 출력 신호가 상기 패스 트랜지스터들의 게이트로 인가되는 것을 감지한 후 상기 동작 전압들을 상기 패스 트랜지스터들의 드레인으로 각각 전달하는 제2 스위치 블록을 포함하여, 상기 동작 전압들이 안정적으로 전달될 수 있도록 상기 출력 신호를 상기 동작 전압보다 먼저 상기 패스 트랜지스터들로 인가하는 난드 플래시 메모리의 로우 디코더 회로.