최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-2004-0095634 (2004-11-22) |
공개번호 | 10-2006-0056519 (2006-05-25) |
등록번호 | 10-0637400-0000 (2006-10-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040095634 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2004-11-22) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP
연마 입자를 포함하는 연마용 슬러리에 있어서, 상기 연마 입자를 소정의 밀링기로 밀링하되, 적어도 1회 이상의 RPM 변경을 통해 강제 분산처리 전후의 연마 입자의 입도 크기 변화량이 30이하인 연마용 슬러리.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.