[특허]다마신 공정을 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법

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다마신 공정을 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/3205
출원번호	10-2004-0117168 (2004-12-30)
공개번호	10-2006-0077657 (2006-07-05)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020040117168
발명자 / 주소	정석원 / 경기 화성시 태안읍 기산리 삼성래미안 *동 호 이강현 / 경기 용인시 구성읍 언남리 동일하이빌 동 **호
출원인 / 주소	동부일렉트로닉스 주식회사 / 서울 강남구 대치동 *-
대리인 / 주소	허용록 (HAW, Yong Noke) 서울 강남구 역삼동*- 현죽빌딩 *층(선영특허법률사무소)
심사청구여부	있음 (2004-12-30)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록 ▼

반도체 소자의 구리 배선 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하부 구리층 상에 형성되는 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막인 질화막을 다단계 플라즈마 식각하고 세정하여 상기 하부 구리층을 노출시킨다. 상기 다단계 플라즈마 식각은 상기 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막을 플라즈마 식각하는 1단계와, 상기 1단계에 발생한 폴리머를 제거하기 위하여 수소 플라즈마 처리하는 2단계와, 상기 2단계에서 노출된 하부 구리층의 표면을 보호하기 위해 질소 플라즈마 처리하여 패시베이션층을 형성하는 3단계로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명

대표청구항 ▼

하부 구리층 상에 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막을 형성하는 단계; 상기 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 내에 상기 하부 구리층을 노출하는 직경이 작은 비아홀 및 직경이 큰 트랜치를 형성하는 단계; 상기 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막을 다단계 플라즈마 식각하고 세정하여 상기 하부 구리층을 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 구리층 상의 비아홀 및 트랜치의 내벽에 배리어 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 배리어 금속막 상에 상기 홀 및 트랜치를 매립하는 상부 구리층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

[미국] Plasma cleaning process for openings formed in at least one low dielectric constant insulation layer over copper metallization in integrated circuit structures | Zhao Joe W., Hsia Wei-Jen, Catabay Wilbur G.
상세보기
[미국] Methods for polymer removal following etch-stop layer etch | Smith, Patricia Beauregard, Park, Heungsoo
상세보기
[한국] 반도체 소자의 제조 방법 | 홍은석
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관련 콘텐츠

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IPC 상위 출원인

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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