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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2004-7010587 (2004-07-06) |
공개번호 | 10-2004-0066938 (2004-07-27) |
국제출원번호 | PCT/US2002/041540 (2002-12-23) |
국제공개번호 | WO2003060977 (2003-07-24) |
번역문제출일자 | 2004-07-06 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020047010587 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2007-12-21) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 제 1 금속배선층과 실리콘 기판 사이에서 집적회로의 콘택을 형성하는 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서 상기 방법은 실리콘 기판 위에 프리메탈 유전체 층을 형성하는 단계, 상기 프리메탈 유전체 층을 관통하여 콘택 홀을 에칭하는 단계 및 상기 콘택 홀의 외부 표면 상에 얇은 실리콘 질화물 층을 형성하는 단계를 포함한다. 실리콘 질화물 층은 산화 형성물이 사전세정 처리에 의해 콘택 홀 내 실리콘 인터페이스로부터 제거될 때 발생할 수 있는 과에칭을 감소시킨다. 사전세정 처리후에, 콘택 홀은 하나 이상의 도전 재료들로 충전
제 1 금속배선층과 실리콘 기판 사이에서 집적회로의 콘택을 형성하는 방법으로서:상기 실리콘 기판 위에 프리메탈(premetal) 유전체 층을 형성하는 단계;상기 프리메탈 유전체 층을 관통하여 콘택 홀을 에칭하는 단계 - 상기 콘택홀은 상기 콘택 홀의 상부로부터 바닥부까지 연장하는 내부 표면을 가짐 - ;상기 내부 표면 상에 질소 포함 층을 형성하는 단계;실리콘 인터페이스에서 상기 콘택 홀 내의 잔류물 및/또는 산화 형성물을 제거하는 단계; 및상기 콘택 홀을 하나 이상의 도전 재료들로 충전하는 단계를 포함하는 집적회로의 콘택 형성 방
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