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사전세정 에칭 단계에서 콘택 홀 측벽의 원치않는 에칭을방지하는 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/28
  • H01L-021/3105
  • H01L-021/318
출원번호 10-2004-7010587 (2004-07-06)
공개번호 10-2004-0066938 (2004-07-27)
국제출원번호 PCT/US2002/041540 (2002-12-23)
국제공개번호 WO2003060977 (2003-07-24)
번역문제출일자 2004-07-06
DOI http://doi.org/10.8080/1020047010587
발명자 / 주소
  • 유안,쳉 / 미국 ***** 캘리포니아 프레몬트 밴보우 드라이브 *****
  • 가나옘,스티브 / 미국 ***** 캘리포니아 로스 알토스 모턴 애브뉴 ****
  • 태커,랜드히르,피.에스. / 미국 ***** 캘리포니아 샌어제이 아펜나인 서클 ****
출원인 / 주소
  • 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 / 미국 ***** 캘리포니아 산타 클라라 바우어스 애브뉴 ****
대리인 / 주소
  • 남상선 (NAM, Sang Sun)
  • 서울시 중구 서소문동 **-*,대한항공빌딩 *층(남앤드남국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2007-12-21)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록 ▼

본 발명은 제 1 금속배선층과 실리콘 기판 사이에서 집적회로의 콘택을 형성하는 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서 상기 방법은 실리콘 기판 위에 프리메탈 유전체 층을 형성하는 단계, 상기 프리메탈 유전체 층을 관통하여 콘택 홀을 에칭하는 단계 및 상기 콘택 홀의 외부 표면 상에 얇은 실리콘 질화물 층을 형성하는 단계를 포함한다. 실리콘 질화물 층은 산화 형성물이 사전세정 처리에 의해 콘택 홀 내 실리콘 인터페이스로부터 제거될 때 발생할 수 있는 과에칭을 감소시킨다. 사전세정 처리후에, 콘택 홀은 하나 이상의 도전 재료들로 충전

대표청구항 ▼

제 1 금속배선층과 실리콘 기판 사이에서 집적회로의 콘택을 형성하는 방법으로서:상기 실리콘 기판 위에 프리메탈(premetal) 유전체 층을 형성하는 단계;상기 프리메탈 유전체 층을 관통하여 콘택 홀을 에칭하는 단계 - 상기 콘택홀은 상기 콘택 홀의 상부로부터 바닥부까지 연장하는 내부 표면을 가짐 - ;상기 내부 표면 상에 질소 포함 층을 형성하는 단계;실리콘 인터페이스에서 상기 콘택 홀 내의 잔류물 및/또는 산화 형성물을 제거하는 단계; 및상기 콘택 홀을 하나 이상의 도전 재료들로 충전하는 단계를 포함하는 집적회로의 콘택 형성 방

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