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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2004-7016947 (2004-10-21) |
공개번호 | 10-2004-0102147 (2004-12-03) |
등록번호 | 10-0740479-0000 (2007-07-11) |
국제출원번호 | PCT/JP2003/005145 (2003-04-23) |
국제공개번호 | WO2003092033 (2003-11-06) |
번역문제출일자 | 2004-10-21 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020047016947 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-10-21) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
금속 클러스터 착물이나 배위자 안정화 금속 클라스터 등의 다핵 금속분자를 사용하여 이온 빔을 생성하는 다핵 금속분자빔 장치.다핵 금속분자(1)는 기화되고, 이온화실(4)에 있어서 전자 충격, 광조사, 플라즈마 이온화, 전계, 전하이동 등의 각종 이온화 수단에 의해 이온화된다.
다핵 금속분자를 사용하여 이온 빔을 생성하는 것을 특징으로 하는 다핵 금속분자빔 장치. 제 1 항에 있어서,기화 또는 안개화시킨 다핵 금속분자를 이온화하는 것을 특징으로 하는 다핵 금속분자빔 장치. 제 2 항에 있어서,기화 또는 안개화시킨 다핵 금속분자를 전자충격에 의해 이온화하는 것을 특징으로 하는 다핵 금속분자빔 장치.제 2 항에 있어서,기화 또는 안개화시킨 다핵 금속분자를 광조사에 의해 이온화하는 것을 특징으로 하는 다핵 금속분자빔 장치. 제 2 항에 있어서,기화 또는 안개화시킨 다핵 금속분자를 플라즈마에 의해 이온화하는
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