초록 ▼

본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 소자의 메모리 셀에 고전압을 인가하기 위한 고전압 PMOS 트랜지스터를 형성함에 있어서, 저전압 소자 영역에 실시하는 저농도 N형 이온 주입 공정을 고전압 PMOS 트랜지스터 영역에도 실시하여 고전압 PMOS 트랜지스터의 전류 패스 구간에 보다 많은 보론 이온 주입이 가능하도록 하여 온 전류(ON CURRENT) 마진을 향상시키고, 고전압 PMOS 트랜지스터에 주입하는 고농도 P형 불순물 이온으로 BF2를 사용하여 보론 이온이 하부로 확산되는 현상을 억제시키어

본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 소자의 메모리 셀에 고전압을 인가하기 위한 고전압 PMOS 트랜지스터를 형성함에 있어서, 저전압 소자 영역에 실시하는 저농도 N형 이온 주입 공정을 고전압 PMOS 트랜지스터 영역에도 실시하여 고전압 PMOS 트랜지스터의 전류 패스 구간에 보다 많은 보론 이온 주입이 가능하도록 하여 온 전류(ON CURRENT) 마진을 향상시키고, 고전압 PMOS 트랜지스터에 주입하는 고농도 P형 불순물 이온으로 BF2를 사용하여 보론 이온이 하부로 확산되는 현상을 억제시키어 고농도 P형 이온주입영역과 N웰간 농도차이를 최소화시키어 정션 브레이크다운 전압(JBV)을 확보할 수 있도록 한다.

대표청구항 ▼

(A) 고전압 PMOS 트랜지스터 영역 및 저전압 소자 영역을 갖는 반도체 기판상에 다수개의 게이트들을 형성하는 단계;(B) 상기 고전압 PMOS 트랜지스터 영역의 게이트 양측 반도체 기판내에 저농도 P형 이온주입 영역을 형성하는 단계;(C) 상기 고전압 PMOS 트랜지스터 영역에 고농도 BF2 이온을 주입하여 상기 저농도 P형 이온주입 영역내에 고농도 P형 이온주입 영역을 형성하는 단계; 및(D) 상기 고전압 PMOS 트랜지스터 영역 및 저전압 소자 영역에 저농도의 N형 불순물 이온을 주입하여 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의

(A) 고전압 PMOS 트랜지스터 영역 및 저전압 소자 영역을 갖는 반도체 기판상에 다수개의 게이트들을 형성하는 단계;(B) 상기 고전압 PMOS 트랜지스터 영역의 게이트 양측 반도체 기판내에 저농도 P형 이온주입 영역을 형성하는 단계;(C) 상기 고전압 PMOS 트랜지스터 영역에 고농도 BF2 이온을 주입하여 상기 저농도 P형 이온주입 영역내에 고농도 P형 이온주입 영역을 형성하는 단계; 및(D) 상기 고전압 PMOS 트랜지스터 영역 및 저전압 소자 영역에 저농도의 N형 불순물 이온을 주입하여 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.