IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 |
10-2005-0045598
(2005-05-30)
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공개번호 |
10-2005-0065482
(2005-06-29)
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등록번호 |
10-0518997-0000
(2005-09-27)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020050045598
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발명자
/ 주소 |
- 하야사끼 게이
/ 일본 가나가와껭 요꼬하마시 이소고꾸 신스기따쪼 *가부시끼가이샤 도시바 요꼬하마 퍼실리티 어드미니스트레이션센터 내
- 이또, 신이찌
/ 일본 가나가와껭 요꼬하마시 이소고꾸 신스기따쪼 *가부시끼가이샤 도시바 요꼬하마 퍼실리티 어드미니스트레이션센터 내
- 에마 다쯔히꼬
/ 일본 가나가와껭 요꼬하마시 이소고꾸 신스기따쪼 *가부시끼가이샤 도시바 요꼬하마 퍼실리티 어드미니스트레이션센터 내
- 다까하시 리이찌로
/ 일본 가나가와껭 요꼬하마시 이소고꾸 신스기따쪼 *가부시끼가이샤 도시바 요꼬하마 퍼실리티 어드미니스트레이션센터 내
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출원인 / 주소 |
- 가부시끼가이샤 도시바 / 일본국 도꾜도 미나또꾸 시바우라 *쪼메 *방 *고
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대리인 / 주소 |
-
주성민;
구영창
(CHU, Sung Min)
-
서울 종로구 내자동 세양빌딩 (김.장법률사무소);
서울 종로구 신문로*가 ***번지 흥국생명빌딩*층(김.장법률사무소)
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심사청구여부 |
있음 (2005-05-30) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
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본 발명에 따른 현상 방법은 원하는 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 현상 방법으로서, 노광된 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제1 현상 처리를 행하는 공정과, 제1 현상 처리가 행해지고 있는 감광성 레지스트막에 대하여, 해당 레지스트막 표면에 대하여 산화성을 갖거나, 혹은 알칼리성인 세정액을 공급하여 제1 세정 처리를 행하는 공정과, 제1 세정 처리가 이루어진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 현상 처리를 행하는 공정과, 제2 현상 처리가 행해진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 세정 처리를 행하는 공정을 포
본 발명에 따른 현상 방법은 원하는 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 현상 방법으로서, 노광된 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제1 현상 처리를 행하는 공정과, 제1 현상 처리가 행해지고 있는 감광성 레지스트막에 대하여, 해당 레지스트막 표면에 대하여 산화성을 갖거나, 혹은 알칼리성인 세정액을 공급하여 제1 세정 처리를 행하는 공정과, 제1 세정 처리가 이루어진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 현상 처리를 행하는 공정과, 제2 현상 처리가 행해진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 세정 처리를 행하는 공정을 포함한다.
대표청구항
▼
원하는 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 현상 방법으로서, 노광된 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제1 현상 처리를 행하는 공정과, 제1 현상 처리가 행해지고 있는 감광성 레지스트막에 대하여, 해당 레지스트막 표면에 대하여 산화성을 갖거나, 혹은 알칼리성인 세정액을 공급하여 제1 세정 처리를 행하는 공정과, 제1 세정 처리가 이루어진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 현상 처리를 행하는 공정과, 제2 현상 처리가 행해진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 세정 처리를 행하는 공정을 포함하는 현상 방법.제1항에 있
원하는 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 현상 방법으로서, 노광된 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제1 현상 처리를 행하는 공정과, 제1 현상 처리가 행해지고 있는 감광성 레지스트막에 대하여, 해당 레지스트막 표면에 대하여 산화성을 갖거나, 혹은 알칼리성인 세정액을 공급하여 제1 세정 처리를 행하는 공정과, 제1 세정 처리가 이루어진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 현상 처리를 행하는 공정과, 제2 현상 처리가 행해진 상기 감광성 레지스트막에 대하여 제2 세정 처리를 행하는 공정을 포함하는 현상 방법.제1항에 있어서, 산화성을 갖는 세정액으로서, 오존수, 산소수, 질산, 및 과산화수소수 중 적어도 1개를 상기 감광성 레지스트막에 공급하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제2 세정 처리시, 오존수, 산소수, 수소수, 탄산수, 약 알칼리수, 약 산성수, 및 순수 중 적어도 1개를 상기 감광성 레지스트막에 공급하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제1 세정 처리시, 순수를 상기 감광성 레지스트막 표면에 공급한 후, 상기 세정액을 공급하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제1 현상 처리 및 제2 현상 처리 중 적어도 한쪽의 처리 시에 이용되는 현상액은, 산화성 기체 분자를 용해시킨 알칼리성 수용액인 현상 방법.제1항에 있어서, 제1 현상 처리 및 제2 현상 처리 중 적어도 한쪽의 처리 시에 이용되는 현상액은, 환원성 기체 분자를 용해시킨 알칼리성 수용액인 현상 방법.제1항에 있어서, 상기 현상액에 대하여 가용인 상기 감광성 레지스트막의 영역의 저면에 현상액이 대략 도달하는 뚫림 시간에, 상기 세정액을 상기 감광성 레지스트막에 공급하여 제1 세정 처리를 행하는 현상 방법.제7항에 있어서, 상기 뚫림 시간은, 현상 중에 상기 감광성 레지스트막에 특정 파장의 빛을 입사시키고, 상기 감광성 레지스트막으로부터의 반사광의 강도 변화가, 간섭 파형으로부터 단조로운 변화를 나타내는 파형으로 변화하는 점을 계측함으로써 구하는 현상 방법.제7항에 있어서, 상기 뚫림 시간은, 상기 감광성 레지스트막을 복수의 현상 시간에 현상하고, 현상 후의 패턴을 평가함으로써 구하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제1 세정 처리 후, 상기 기판 표면을 건조시킨 후에, 제2 현상 처리를 행하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제2 현상 처리는 상기 감광성 레지스트막 위에 제1 세정 처리에 이용한 세정액이 남은 상태에서 행하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제1 현상 처리를 행하기 전에, 상기 감광성 레지스트막에 대하여 산화 작용을 갖는 액체를 해당 레지스트막 표면에 공급하는 전 처리를 행하는 현상 방법.제1항에 있어서, 제1 및 제2 현상 처리 시에, 상기 감광성 레지스트막에 대하여, 길이 방향의 길이가 상기 기판의 직경보다 긴 토출구를 갖는 현상액 토출 노즐로부터 현상액을 토출하면서, 상기 기판과 상기 현상액 토출 노즐을 기판의 한쪽의 끝으로부터 타단으로 상대적으로 이동시켜, 상기 감광성 레지스트막 표면에 현상액막을 형성하는 현상 방법.제1항에 있어서, 상기 제2 세정 처리는, 노즐에 형성된 토출 영역으로부터 세정액을 기판에 대하여 연속적으로 토출하면서, 상기 노즐과 상기 기판을 상대적으로 한 방향으로 이동시키는 공정을 포함하고, 상기 토출 영역의 상기 한 방향에 직교하는 방향의 길이는, 상기 기판의 최대 직경 또는 최장 변과 동등 이상이고, 상기 노즐은, 분출 영역으로부터 가스를 상기 기판에 대하여 연속적으로 내뿜고, 분출 영역의 상기 한 방향에 직교하는 방향의 길이는, 상기 기판의 최대 직경, 또는 최장 변과 동등 이상인 현상 방법.원하는 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 현상 방법으로서, 상기 감광성 레지스트막에 대하여 현상액을 공급하는 공정과, 상기 감광성 레지스트막 상의 현상액을 유동시키는 공정을 포함하고, 상기 현상액을 유동시키는 공정의 개시 시간과 종료 시간 사이에, 상기 현상액에 대하여 가용인 상기 감광성 레지스트막의 영역의 저면에 현상액이 도달하는 뚫림 시간이 포함되는 현상 방법.제15항에 있어서, 상기 뚫림 시간은, 현상 중에 상기 감광성 레지스트막에 특정 파장의 빛을 입사시키고, 상기 감광성 레지스트막으로부터의 반사광의 강도 변화가, 간섭 파형으로부터 단조로운 변화를 나타내는 파형으로 변화하는 점을 계측함으로써 구하는 현상 방법.제15항에 있어서, 상기 뚫림 시간은, 상기 감광성 레지스트막을 복수의 현상 시간에 현상하고, 현상 후의 패턴을 평가함으로써 구하는 현상 방법.제15항에 있어서, 상기 현상액의 유동은 상기 현상액이 공급된 기판을 회전시킴으로써 행하는 현상 방법.제15항에 있어서, 상기 현상액의 유동은 상기 현상액이 공급된 기판 위에 기류를 형성함으로써 행하는 현상 방법.원하는 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 현상 방법으로서, 상기 감광성 레지스트막 위에 현상액을 공급하는 공정과, 상기 감광성 레지스트막 상의 현상액을 유동시키는 공정을 포함하고, 상기 현상액을 유동시키는 개시 시간은, 상기 현상액에 대하여 가용인 상기 감광성 레지스트막의 영역의 저면에 현상액이 도달하는 뚫림 시간의 후인 현상 방법.제20항에 있어서, 상기 뚫림 시간은, 현상 중에 상기 감광성 레지스트막에 특정 파장의 빛을 입사시키고, 상기 감광성 레지스트막으로부터의 반사광의 강도 변화가, 간섭 파형으로부터 단조로운 변화를 나타내는 파형으로 변화하는 점을 계측함으로써 구하는 현상 방법.제20항에 있어서, 상기 뚫림 시간은, 상기 감광성 레지스트막을 복수의 현상 시간에 현상하고, 현상 후의 패턴을 평가함으로써 구하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.제20항에 있어서, 상기 현상액의 유동은, 상기 현상액이 공급된 기판을 회전시킴으로써 행하는 현상 방법.제20항에 있어서, 상기 현상액의 유동은 상기 현상액이 공급된 기판 위에 기류를 형성함으로써 행하는 현상 방법.제1항에 기재된 현상 방법을 이용하여, 반도체 기판 위에 형성되고, 회로 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.제15항에 기재된 현상 방법을 이용하여, 반도체 기판 위에 형성되고, 회로 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.제20항에 기재된 현상 방법을 이용하여, 반도체 기판 위에 형성되고, 회로 패턴이 노광된 감광성 레지스트막의 현상을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.노광된 감광성 레지스트막을 현상할 때에 이용하는 현상액 공급 노즐의 세정 방법으로서, 상기 현상액 공급 노즐에 현상액을 공급하는 공정과, 기판 위에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐에 산화성 액체를 공급하여 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상액 공급 노즐의 세정 방법.제28항에 있어서, 상기 산화성 액체로서, 오존, 산소, 일산화 탄소, 및 과산화수소 중 적어도 하나를 포함하는 수용액을 상기 현상액 공급 노즐에 공급하는 것을 특징으로 하는 현상액 공급 노즐의 세정 방법.
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