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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0057421 (2005-06-30) |
공개번호 | 10-2007-0002111 (2007-01-05) |
등록번호 | 10-0820102-0000 (2008-04-01) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050057421 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-06-30) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 나노소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 P 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 낮은 AL 등의 금속 나노입자나 유기물을 코팅하고, N 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 높은 PD 금속 나노입자를 코팅하여 나노구조체의 감도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 나노소자에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어 및 각종 나노구조체를 이용한 트랜지스터 또는 소자에 있어서,상기 트랜지스터들 또는 소자들 중 어느 하나의 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자 또는 촉매역할을 하는 금속 나노입자가
나노구조체를 채널에 형성한 반도체 소자에 있어서,상기 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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