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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0001619 (2008-01-07) |
공개번호 | 10-2009-0075957 (2009-07-13) |
등록번호 | 10-0969478-0000 (2010-07-02) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080001619 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-01-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 이용한 나노 소자의 제조방법에 관한 것으로, PDMS(Polydimethylsiloxane) 패턴을 이용하여 전극 패턴 상에 선택적으로 나노 구조체를 균일하게 정렬하는 공정을 제공함으로써, 종래의 나노 구조체 소자 제조 방법보다 공정이 간단하고, 공정시간이 짧으며, 제조단가가 낮고, 대규모 스케일에서도 공정이 가능하게 하고 또한 가스, 바이오 및 광센서 등의 나노 소자를 손쉽게 구현할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
전극 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 상기 전극 패턴을 선택적으로 노출시키는 PDMS(Polydimethylsiloxane)을 형성하고, 상기 노출된 전극 패턴 상에나노 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법.
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