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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0134764 (2005-12-30) |
등록번호 | 10-0683384-0000 (2007-02-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050134764 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-12-30) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 얇은 게이트 산화막을 가진 반도체 소자의 계면 전하포획 밀도를 측정하는 방법에 관한 것으로, 측정에 필요한 파라미터를 호스트 컴퓨터에 입력하고, 측정 파라미터를 통해 펄스 발생기에 펄스 조건을 설정한 후, 펄스 발생기에서 만들어진 특정 주파수의 펄스를 게이트에 인가한다. 벌크로부터 전하 펌핑 전류를 측정하고, 설정된 주파수에 도달할 때까지 주파수를 변경하면서 주파수별 전하 펌핑 전류 측정을 반복한다. 주파수별로 측정된 전하 펌핑 전류로부터 게이트 터널링 누설전류를 제거한 주파수별 순수 전하 펌핑 전류를 산출하고, 이로부터
측정에 필요한 파라미터를 호스트 컴퓨터에 입력하는 단계;상기 측정 파라미터를 통해 펄스 발생기에 펄스 조건을 설정하는 단계;상기 펄스 발생기에서 만들어진 특정 주파수의 펄스를 게이트에 인가하는 단계;벌크로부터 전하 펌핑 전류를 측정하는 단계;설정된 주파수에 도달할 때까지 주파수를 변경하면서 주파수별로 전하 펌핑 전류의 측정을 반복하는 단계;주파수별로 측정된 전하 펌핑 전류로부터 게이트 터널링 누설전류를 제거한 주파수별 순수 전하 펌핑 전류를 산출하는 단계; 및산출된 주파수별 순수 전하 펌핑 전류로부터 계면 전하포획 밀도를 산출하는
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