초록

본 발명의 소수성 퓸드 실리카는 환상 디메틸실록산에 의해 소수화 처리된 퓸드 실리카로서, 친유도를 나타내는 M값이 48 내지 65의 범위에 있고, 탭핑 부피 밀도가 80 G/L을 초과하여 130 G/L 이하이며, 톨루엔 중에서 측정한 분산성을 N값이 3.0 내지 3.5인 것을 특징으로 한다. 이 소수성 퓸드 실리카는 높은 소수성을 나타내면서 부피 밀도가 높으며 이것에 의해 분체의 취급이 양호하여 수지 등의매트릭스에 용이하게 단시간에 혼합할 수 있을 뿐만 아니라 매트릭스 중에 고도로 분산시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

환상 디메틸실록산에 의해 소수화 처리된 퓸드 실리카로서, 친유도를 나타내는 M값이 48 내지 65의 범위에 있고, 탭핑 부피 밀도가 80 g/L을 초과하여 130 g/L 이하이며, 톨루엔 중에서 측정한 분산성을 나타내는 n값이 3.0 내지 3.5인 것을 특징으로 하는 소수성 퓸드 실리카.제1항에 있어서, 질소 함유량이 15 ppm 이하이고, 금속 및 금속 산화물 불순물의 총량이 금속 환산으로 10 ppm 이하인 소수성 퓸드 실리카.제1항에 있어서, 45 ㎛ 이상의 응집 입자의 함유량이 200 ppm 이하인 소수성 퓸드 실리카.퓸드

환상 디메틸실록산에 의해 소수화 처리된 퓸드 실리카로서, 친유도를 나타내는 M값이 48 내지 65의 범위에 있고, 탭핑 부피 밀도가 80 g/L을 초과하여 130 g/L 이하이며, 톨루엔 중에서 측정한 분산성을 나타내는 n값이 3.0 내지 3.5인 것을 특징으로 하는 소수성 퓸드 실리카.제1항에 있어서, 질소 함유량이 15 ppm 이하이고, 금속 및 금속 산화물 불순물의 총량이 금속 환산으로 10 ppm 이하인 소수성 퓸드 실리카.제1항에 있어서, 45 ㎛ 이상의 응집 입자의 함유량이 200 ppm 이하인 소수성 퓸드 실리카.퓸드 실리카를 압밀화 처리하여 부피 밀도를 상승시킨 후, 가스상의 환상 디메틸실록산과 접촉시키는 것을 특징으로 하는 소수성 퓸드 실리카의 제조 방법.제4항에 있어서, 상기 압밀화 처리를 퓸드 실리카의 탭핑 부피 밀도가 70 내지 120 g/L가 되게 행하는 소수성 퓸드 실리카의 제조 방법.제4항에 있어서, 상기 압밀화 처리를 진공 압축기를 사용하여 행하는 소수성 퓸드 실리카의 제조 방법.제4항에 있어서, 상기 환상 디메틸실록산으로서, 비점이 300℃ 이하의 것을 이용하는 소수성 퓸드 실리카의 제조 방법.