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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-7022436 (2005-11-24) |
공개번호 | 10-2006-0017614 (2006-02-24) |
국제출원번호 | PCT/JP2004/007251 (2004-05-27) |
국제공개번호 | WO2004107424 (2004-12-09) |
번역문제출일자 | 2005-11-24 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020057022436 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-11-24) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 가공 방법은, 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얇은 원판형의 웨이퍼를 얻는 공정(11)과, 웨이퍼 표면을 연삭하여 평면화하는 공정(13)과, 웨이퍼를 알칼리 세정하여 기계 가공의 오염을 제거하는 공정(14)과, 복수의 에칭 조에 산 에칭액과 알칼리 에칭액을 각각 저장하고, 웨이퍼를 산 에칭액과 알칼리 에칭액에 순차적으로 침지시키는 공정(16)을 포함하고, 공정 11과 공정 13의 사이에 웨이퍼를 불산 및 질산을 그 체적비(HF/HNO3)가 1/2∼1/8인 비율로 함유하는 산용액에 침지시켜, 웨이퍼 표리면에 형성
단결정 잉곳을 슬라이스하여 얇은 원판형의 웨이퍼를 얻는 슬라이스 공정(11)과, 상기 웨이퍼 표면을 연삭하여 평면화하는 랩핑(lapping) 공정(13)과, 상기 웨이퍼를 알칼리 세정하여 기계 가공의 오염을 제거하는 알칼리 세정 공정(14)과, 복수의 에칭 조(槽)에 산 에칭액과 알칼리 에칭액을 각각 저장하고, 상기 웨이퍼를 산 에칭액과 알칼리 에칭액에 순차적으로 침지(浸漬)시키는 에칭 공정(16)을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 상기 슬라이스 공정(11)과 상기 랩핑 공정(13)의 사이에 상기 웨이퍼를 불산및
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